[发明专利]一次编程存储器及其相关存储单元结构

权利要求书

1.一种一次编程存储器，包括：

一第一型区域，该第一型区域的一表面有一第一第二型掺杂区域、一第二第二型掺杂区域、一第三第二型掺杂区域与一第四第二型掺杂区域；

一第一栅极结构，形成于该第一第二型掺杂区域与该第二第二型掺杂区域之间的该表面上方；

一第二栅极结构；

一第三栅极结构，形成于该第三第二型掺杂区域与该第四第二型掺杂区域之间的该表面上方；

一第四栅极结构；其中该第二栅极结构与该第四栅极结构形成于该第二第二型掺杂区域与该第四第二型掺杂区域之间的该表面上方；

其中，该第一型区域、该第一第二型掺杂区域、该第二第二型掺杂区域与该第一栅极结构形成一第一存储单元中的一第一开关晶体管；该第一型区域、该第二第二型掺杂区域与该第二栅极结构形成该第一存储单元中的一第一储存晶体管；该第一型区域、该第三第二型掺杂区域、该第四第二型掺杂区域与该第三栅极结构形成一第二存储单元中的一第二开关晶体管；该第一型区域、该第四第二型掺杂区域与该第四栅极结构形成该第二存储单元中的一第二储存晶体管；以及

其中，该第二第二型掺杂区域与该第四第二型掺杂区域之间的该表面下方为一第一型半导体。

2.如权利要求1所述的一次编程存储器，其中该第二栅极结构与该第四栅极结构之间的该表面下方为一第一型重掺杂区域。

3.如权利要求1所述的一次编程存储器，其中该第一型区域为一第一型基板或者一第一型井区域。

4.如权利要求1所述的一次编程存储器，其中该第一栅极结构，包括一第一栅极氧化层覆盖于该表面上、一第一栅极覆盖于该第一栅极氧化层上、与一第一间隙壁包围该第一栅极氧化层与该第一栅极；该第二栅极结构，包括一第二栅极氧化层覆盖于该表面上、一第二栅极覆盖于该第二栅极氧化层上、与一第二间隙壁包围该第二栅极氧化层与该第二栅极；该第三栅极结构，包括一第三栅极氧化层覆盖于该表面上、一第三栅极覆盖于该第三栅极氧化层上、与一第三间隙壁包围该第三栅极氧化层与该第三栅极；以及该第四栅极结构，包括一第四栅极氧化层覆盖于该表面上、一第四栅极覆盖于该第四栅极氧化层上、与一第四间隙壁包围该第四栅极氧化层与该第四栅极。

5.如权利要求4所述的一次编程存储器，其中该第二间隙壁与该第四间隙壁彼此重叠。

6.如权利要求5所述的一次编程存储器，其中重叠的该第二间隙壁与该第四间隙壁的宽度小于三倍该第二栅极结构的宽度。

7.如权利要求4所述的一次编程存储器，其中于编程该第一存储单元时，选择性地破坏该第二栅极氧化层；于编程该第二存储单元时，选择性地破坏该第四栅极氧化层。

8.一种一次编程存储器，包括：

一第一型区域，该第一型区域的一表面有一第一第二型掺杂区域与一第二第二型掺杂区域；

一第一栅极结构，包括一第一栅极氧化层覆盖于该表面上、一第一栅极覆盖于该第一栅极氧化层上、与一第一间隙壁包围该第一栅极氧化层与该第一栅极，其中该第一栅极氧化层包括一第一部分第一栅极氧化层与一第二部分第一栅极氧化层，且该第二部分第一栅极氧化层薄于该第一部分第一栅极氧化层；

一第二栅极结构，包括一第二栅极氧化层覆盖于该表面上、一第二栅极覆盖于该第二栅极氧化层上、与一第二间隙壁包围该第二栅极氧化层与该第二栅极，其中该第二栅极氧化层包括一第一部分第二栅极氧化层与一第二部分第二栅极氧化层，且该第二部分第二栅极氧化层薄于该第一部分第二栅极氧化层；其中该第一栅极结构与该第二栅极结构形成于该第一第二型掺杂区域与该第二第二型掺杂区域之间的该表面上方；

其中，该第一型区域、该第一第二型掺杂区域、该第一部分第一栅极氧化层与该第一栅极形成一第一存储单元中的一第一开关晶体管；该第一型区域、该第二部分第一栅极氧化层与该第一栅极形成该第一存储单元中的一第一储存晶体管；该第一型区域、该第二第二型掺杂区域、该第一部分第二栅极氧化层与该第二栅极形成一第二存储单元中的一第二开关晶体管；该第一型区域、该第二部分第二栅极氧化层与该第二栅极形成该第二存储单元中的一第二储存晶体管；以及

其中，该第一第二型掺杂区域与该第二第二型掺杂区域之间的该表面下方为一第一型半导体。

9.如权利要求8所述的一次编程存储器，其中该第一栅极结构与该第二栅极结构之间的该表面下方为一第一型重掺杂区域。