[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201410055965.0 | 申请日： | 2014-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN104078504B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 冈彻 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 舒艳君,李洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。其中，半导体装置具备第一n型半导体层，其具有第一界面、和构成从第一界面突出的凸部的上面的第二界面；p型半导体层，其是层叠于第一n型半导体层的p型半导体层，层叠于第一界面的第一部位、和层叠于第二界面的第二部位一样连接；第二n型半导体层；槽部，其是从第二n型半导体层贯通p型半导体层，并下陷至第一n型半导体层中的上述凸部的内侧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第一n型半导体层，其具有第一界面、和构成从所述第一界面突出的凸部的上面的第二界面；p型半导体层，其是层叠于所述第一n型半导体层的p型半导体层，该p型半导体层具有层叠于所述第一界面的第一部位、和层叠于所述第二界面的第二部位，所述第一部位和所述第二部位一致地连接；第二n型半导体层，其层叠于所述p型半导体层；以及槽部，其从所述第二n型半导体层贯通所述p型半导体层并下陷至所述第一n型半导体层中的所述凸部的内侧，所述p型半导体层具有第一隆起部，该第一隆起部朝向所述凸部突出的突出方向沿所述凸部隆起，所述第二n型半导体层具有第二隆起部，该第二隆起部朝向所述突出方向沿所述第一隆起部隆起。
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