[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第一n型半导体层，其具有第一界面、和构成从所述第一界面突出的凸部的上面的第二界面；

p型半导体层，其是层叠于所述第一n型半导体层的p型半导体层，该p型半导体层具有层叠于所述第一界面的第一部位、和层叠于所述第二界面的第二部位，所述第一部位和所述第二部位一致地连接；

第二n型半导体层，其层叠于所述p型半导体层；以及

槽部，其从所述第二n型半导体层贯通所述p型半导体层并下陷至所述第一n型半导体层中的所述凸部的内侧，

所述p型半导体层具有第一隆起部，该第一隆起部朝向所述凸部突出的突出方向沿所述凸部隆起，

所述第二n型半导体层具有第二隆起部，该第二隆起部朝向所述突出方向沿所述第一隆起部隆起。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

还具备隔着绝缘膜形成于所述槽部的电极。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述凸部从所述第一界面突出的高度Hm比所述第一部位中的所述p型半导体层的厚度Tp和所述第一部位中的所述第二n型半导体层的厚度Tn相加而得的厚度Tu小。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述槽部相对于所述凸部的所述上面下陷的深度h1是0μm以上，且是所述凸部从所述第一界面突出的高度Hm加上0.4μm后的深度以下。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述凸部突出的沿X轴方向的、从所述第一界面至所述槽部的底面的高度h2在从所述第一界面朝向所述第二界面的+X轴方向侧是1.0μm以下，且在从所述第二界面朝向所述第一界面的－X轴方向侧是0.4μm以下。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述凸部的侧端和所述槽部的底面之间的距离w1满足0.1μm≤w1≤2.0μm。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述凸部的侧端和所述槽部的底面之间的距离w1满足0.2μm≤w1≤1.0μm。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

还具备层叠于所述第一n型半导体层和所述p型半导体层之间的第三n型半导体层。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

还具备层叠于所述第一n型半导体层和所述p型半导体层之间的本征半导体层。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一部位的受主浓度与所述第二部位的受主浓度相同。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一n型半导体层、所述p型半导体层、以及所述第二n型半导体层是主要由氮化镓构成的半导体层。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述槽部是多个，

所述凸部至少在比所述多个槽部中位于所述半导体装置的终端侧的槽部靠近所述终端侧，从所述第一界面突出。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还具备：

台阶部，其形成在所述半导体装置的比所述槽部靠近终端侧，从所述第二n型半导体层经由所述p型半导体层至所述第一n型半导体层；

绝缘膜，其具有电绝缘性，并覆盖所述台阶部；

电极，其具有导电性，并层叠于所述绝缘膜，且在与所述台阶部之间夹有所述绝缘膜。

14.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还具备：

源极电极，其形成于从所述第二n型半导体层至所述p型半导体层的凹部；

栅极电极，其隔着绝缘膜形成于所述槽部，

在沿层叠有所述第一n型半导体层、所述p型半导体层以及所述第二n型半导体层的层叠方向的剖面中，交替地配置所述源极电极的一部分和所述栅极电极的一部分。