[发明专利]快闪存储器装置及其数据读取方法有效
| 申请号： | 201410045061.X | 申请日： | 2014-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN104835528B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 叶润林;张尚文 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 赵根喜;李昕巍 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种快闪存储器装置及其数据读取方法。在存储器单元进行数据读取时提供电压值高于预充电电压的升压电压至源极放电晶体管，以提高源极放电晶体管的放电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 数据读取 放电晶体管 快闪存储器 源极 存储器单元 预充电电压 放电能力 升压电压 | ||
【主权项】：
1.一种快闪存储器装置，包括：一存储器单元，包括多个记忆胞；一源极放电晶体管，其漏极耦接该些记忆胞的源极，该源极放电晶体管的源极耦接至一接地；一预充电单元，耦接该源极放电晶体管的栅极，受控于一预充电控制信号而于该存储器单元进行数据读取时停止提供一预充电电压至该源极放电晶体管的栅极；一升压单元，耦接该源极放电晶体管的栅极，于该预充电单元停止提供该预充电电压后，依据一升压控制信号提供一升压电压至该源极放电晶体管的栅极，其中该升压电压的电压值大于该预充电电压的电压值；以及一控制单元，耦接该预充电单元与该升压单元，依据一读取指令发出该预充电控制信号与该升压控制信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华邦电子股份有限公司，未经华邦电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410045061.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种具有泛化能力的水电集群动态等值方法
- 下一篇：电缆压接构造
