[发明专利]快闪存储器装置及其数据读取方法

权利要求书

1.一种快闪存储器装置，包括：

一存储器单元，包括多个记忆胞；

一源极放电晶体管，其漏极耦接该些记忆胞的源极，该源极放电晶体管的源极耦接至一接地；

一预充电单元，耦接该源极放电晶体管的栅极，受控于一预充电控制信号而于该存储器单元进行数据读取时停止提供一预充电电压至该源极放电晶体管的栅极；

一升压单元，耦接该源极放电晶体管的栅极，于该预充电单元停止提供该预充电电压后，依据一升压控制信号提供一升压电压至该源极放电晶体管的栅极，其中该升压电压的电压值大于该预充电电压的电压值；以及

一控制单元，耦接该预充电单元与该升压单元，依据一读取指令发出该预充电控制信号与该升压控制信号。

2.如权利要求1所述的快闪存储器装置，其中该升压单元包括：

一电容单元，其一端耦接该源极放电晶体管的栅极；以及

一切换单元，耦接一操作电压、该控制单元、该接地与该电容单元的另一端，依据该升压控制信号而于该存储器单元进行数据读取时将该操作电压连接至该电容单元的另一端，以使该电容单元提供该升压电压至该源极放电晶体管的栅极，并于该存储器单元完成数据读取后，将该接地连接至该电容单元的另一端。

3.如权利要求2所述的快闪存储器装置，其中该切换单元为一开关元件。

4.如权利要求2所述的快闪存储器装置，其中该切换单元包括：

一反向器，接收该升压控制信号；

一P型晶体管；以及

一N型晶体管，与该P型晶体管串接于该操作电压与该接地之间，该N型晶体管以及该P型晶体管的栅极耦接该反向器的输出端。

5.如权利要求1所述的快闪存储器装置，其中该存储器单元为并列式快闪存储器。

6.一种快闪存储器装置的数据读取方法，其中该快闪存储器装置包括一存储器单元以及一源极放电晶体管，该存储器单元包括多个记忆胞，该源极放电晶体管耦接于该些记忆胞的源极与一接地之间，该数据读取方法包括：

检测是否接收到一读取指令；

若接收到该读取指令，停止提供一预充电电压至该源极放电晶体管的栅极；以及

提供一升压电压至该源极放电晶体管的栅极，其中该升压电压的电压值大于该预充电电压的电压值。

7.如权利要求6项所述的快闪存储器装置的数据读取方法，还包括：

于该读取指令执行完毕后，提供该预充电电压至该源极放电晶体管的栅极。

8.如权利要求6项所述的快闪存储器装置的数据读取方法，其中该存储器单元为并列式快闪存储器。