[发明专利]半导体结构及其制法在审
| 申请号： | 201410040307.4 | 申请日： | 2014-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN104779230A | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 蒋静雯;张玮仁;陈光欣;陈贤文;朱育德 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/60;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其制法，该制法先将具有多个第一导电穿孔的第一半导体基板与具有多个第二导电穿孔的第二半导体基板相结合，使该第一与第二导电穿孔相互电性导通，再设置至少一电子元件于该第一半导体基板上以电性连接该第一导电穿孔。因此，藉由该第二半导体基板同时作为承载件与封装基板，因而无需移除该第二半导体基板，且于后续制程中无需增设封装基板，所以不需反复进行结合/移除承载件的制程，因而能简化制程及降低制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：第一半导体基板，其具有相对的第一侧与第二侧、及连通该第一侧与第二侧的多个第一导电穿孔；第二半导体基板，其具有相对的第三侧与第四侧、及连通该第三侧与第四侧的多个第二导电穿孔，且该第一半导体基板的第一侧结合至该第二半导体基板的第三侧，使该第一导电穿孔与该第二导电穿孔相互电性导通；以及至少一电子元件，其设于该第一半导体基板的第二侧且电性连接该第一导电穿孔。
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