[发明专利]半导体结构及其制法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

第一半导体基板，其具有相对的第一侧与第二侧、及连通该第一侧与第二侧的多个第一导电穿孔；

第二半导体基板，其具有相对的第三侧与第四侧、及连通该第三侧与第四侧的多个第二导电穿孔，且该第一半导体基板的第一侧结合至该第二半导体基板的第三侧，使该第一导电穿孔与该第二导电穿孔相互电性导通；以及

至少一电子元件，其设于该第一半导体基板的第二侧且电性连接该第一导电穿孔。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一半导体基板的第一侧具有氧化层，以结合该第二半导体基板的第三侧。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第二半导体基板的第三侧具有氧化层，以结合该第一半导体基板的第一侧。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一半导体基板的第一侧具有第一氧化层，且该第二半导体基板的第三侧具有第二氧化层，令该第一氧化层结合该第二氧化层，以结合该第一与第二半导体基板。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一半导体基板的第一侧具有线路重布层，以结合该第二半导体基板的第三侧与该第二导电穿孔。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，该第二半导体基板的第三侧具有氧化层，以结合该线路重布层。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该电子元件为半导体元件。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该结构还包括封装层，其设于该第一半导体基板的第二侧上以包覆该电子元件。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，该结构还包括底胶，其设于该第一半导体基板的第二侧与该电子元件之间。

10.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，该封装层外露该电子元件的部分表面。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该结构还包括多个导电元件，其设于该第二半导体基板的第四侧上且电性连接该第二导电穿孔。

12.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该结构还包括第一线路重布结构，其设于该第一半导体基板的第二侧且电性连接该第一导电穿孔，使该电子元件设于该第一线路重布结构上且电性连接该第一线路重布结构。

13.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该结构还包括第二线路重布结构，其设于该第二半导体基板的第四侧上且电性连接该第二导电穿孔。

14.一种半导体结构的制法，其包括：

提供一第一半导体基板与一第二半导体基板，该第一半导体基板具有相对的第一侧与第二侧、及位于其中并外露于该第一侧的多个第一导电穿孔，且该第二半导体基板具有相对的第三侧与第四侧、及位于其中并外露于该第三侧的多个第二导电穿孔；

结合该第一半导体基板的第一侧与该第二半导体基板的第三侧，使该第一导电穿孔与该第二导电穿孔相互电性导通；以及

设置至少一电子元件于该第一半导体基板的第二侧上，且该电子元件电性连接该该第一导电穿孔。

15.如权利要求14所述的半导体结构的制法，其特征在于，该第一半导体基板的第一侧具有氧化层，以结合该第二半导体基板的第三侧。

16.如权利要求14所述的半导体结构的制法，其特征在于，该第二半导体基板的第三侧具有氧化层，以结合该第一半导体基板的第一侧。

17.如权利要求14所述的半导体结构的制法，其特征在于，该第一半导体基板的第一侧具有第一氧化层，且该第二半导体基板的第三侧具有第二氧化层，令该第一氧化层结合该第二氧化层，以结合该第一与第二半导体基板。

18.如权利要求14所述的半导体结构的制法，其特征在于，该第一半导体基板的第一侧具有线路重布层，以结合该第二半导体基板的第三侧与该第二导电穿孔。

19.如权利要求18所述的半导体结构的制法，其特征在于，该第二半导体基板的第三侧具有氧化层，以结合该线路重布层。

20.如权利要求14所述的半导体结构的制法，其特征在于，该电子元件为半导体元件。