[发明专利]一种巨介电常数低介电损耗SrTiO3陶瓷材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201410026215.0 申请日: 2014-01-21
公开(公告)号: CN103755339A 公开(公告)日: 2014-04-30
发明(设计)人: 曹明贺;王志建;刘韩星;郝华;尧中华;余志勇 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: C04B35/47 分类号: C04B35/47;C04B35/622
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 乔宇
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种巨介电常数低介电损耗SrTiO3陶瓷材料的制备方法,它包括以下步骤:将SrCO3和TiO2按照SrTiO3的化学计量比1:1混合,球磨处理后烘干,然后在1000~1150℃、空气气氛中煅烧2~5小时,将煅烧后的粉末再次球磨处理后烘干,添加PVA造粒并过筛,成型得到陶瓷坯体;将陶瓷坯体在N2气氛中1440~1500℃烧结即得。该方法制备的SrTiO3陶瓷在-100~200℃(测试频率范围1~100kHz)的温度范围内和在20Hz~500kHz的频率范围(测试温度范围20~100℃)内具有巨大介电常数(>40000)和低介电损耗(<0.02),具有优良的温度和频率稳定性。
搜索关键词: 一种 介电常数 低介电 损耗 srtio sub 陶瓷材料 制备 方法
【主权项】:
一种巨介电常数低介电损耗SrTiO3陶瓷材料的制备方法,其特征在于:它包括以下步骤:将SrCO3和TiO2按照SrTiO3的化学计量比1:1混合,球磨处理后烘干,然后在1000~1150℃、空气气氛中煅烧2~5小时,将煅烧后的粉末再次球磨处理后烘干,添加PVA造粒并过筛,成型得到陶瓷坯体;将陶瓷坯体在N2气氛中1440~1500℃烧结即得。
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