[发明专利]一种巨介电常数低介电损耗SrTiO3陶瓷材料的制备方法有效
| 申请号: | 201410026215.0 | 申请日: | 2014-01-21 |
| 公开(公告)号: | CN103755339A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
| 发明(设计)人: | 曹明贺;王志建;刘韩星;郝华;尧中华;余志勇 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
| 主分类号: | C04B35/47 | 分类号: | C04B35/47;C04B35/622 |
| 代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 乔宇 |
| 地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 介电常数 低介电 损耗 srtio sub 陶瓷材料 制备 方法 | ||
1.一种巨介电常数低介电损耗SrTiO3陶瓷材料的制备方法,其特征在于:它包括以下步骤:将SrCO3和TiO2按照SrTiO3的化学计量比1:1混合,球磨处理后烘干,然后在1000~1150℃、空气气氛中煅烧2~5小时,将煅烧后的粉末再次球磨处理后烘干,添加PVA造粒并过筛,成型得到陶瓷坯体;将陶瓷坯体在N2气氛中1440~1500℃烧结即得。
2.根据权利要求1所述的巨介电常数低介电损耗SrTiO3陶瓷材料的制备方法,其特征在于:所述陶瓷坯体的烧结时间为2-5h。
3.根据权利要求1所述的巨介电常数低介电损耗SrTiO3陶瓷材料的制备方法,其特征在于:在对陶瓷坯体进行烧结时,预先抽真空至体系真空度达到-0.06MPa,然后通氮气,再抽真空,循环5-10次后再持续通氮,在N2气氛下对陶瓷坯体进行烧结。
4.根据权利要求1所述的巨介电常数低介电损耗SrTiO3陶瓷材料的制备方法,其特征在于:所述陶瓷坯体烧结时N2的通入速率为40~50mL/min。
5.根据权利要求1所述的巨介电常数低介电损耗SrTiO3陶瓷材料的制备方法,其特征在于:所述球磨处理后的粉体粒度≥100目。
6.根据权利要求1所述的巨介电常数低介电损耗SrTiO3陶瓷材料的制备方法,其特征在于:所述的球磨为湿式球磨,球磨介质为乙醇,球磨时间为10~24小时。
7.根据权利要求1所述的巨介电常数低介电损耗SrTiO3陶瓷材料的制备方法,其特征在于:所述的成型为干压成型,成型压力为1~20MPa,成型得到的陶瓷坯体直径为12mm、厚度0.5~1mm。
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