[发明专利]写极箱屏蔽结构有效
| 申请号： | 201410022347.6 | 申请日： | 2014-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN103943115B | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 沈哲;罗勇;W·谈;D·林 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/11 | 分类号： | G11B5/11 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 何焜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种写极箱屏蔽结构。一种磁性元件可通常配置为至少构造有在箱屏蔽结构之中的写极，箱屏蔽结构由第一和第二侧屏蔽结构和第一和第二垂直屏蔽结构组成。写极可通过由不同材料的至少两个间隙层组成的多层间隙结构与箱屏蔽结构间隔。 | ||
| 搜索关键词： | 写极箱 屏蔽 结构 | ||
【主权项】：
一种磁性元件装置，包括在箱屏蔽结构之中的写极，所述箱屏蔽结构包括第一和第二侧屏蔽结构和第一和第二垂直屏蔽结构，所述写极通过包括不同材料的至少两个间隙层的多层间隙结构与箱屏蔽结构隔开，其中，所述至少两个间隙层包括研磨停止层和非磁性层；其中，所述研磨停止层包括钌；其中，所述研磨停止层接触所述屏蔽结构和所述非磁性层。
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