[发明专利]写极箱屏蔽结构

说明书

发明内容

各个实施例一般涉及能够用于高数据位密度数据存储环境的磁性元件。

根据各个实施例，写极可在由第一和第二侧屏蔽结构和第一和第二垂直屏蔽结构组成的箱屏蔽结构内构造。写极可通过由不同材料的至少两个间隙层组成的多层间隙结构与箱屏蔽结构间隔。

附图简述

图1为根据本发明构造和操作的示例数据存储设备的框图表示。

图2示出了能够用于图1的数据存储装置的示例磁性元件的截面框图表示。

图3示出了根据一些实施例构造的示例磁性元件的一部分的ABS视图框图表示。

图4显示了根据各个实施例构造的示例磁性元件的截面框图表示。

图5示出了根据各个实施例构造的示例磁性元件的一部分的ABS视图框图表示。

图6示出了根据一些实施例构造的示例磁性元件的一部分的ABS视图框图表示。

图7A和7B提供根据各个实施例的示例数据写入器制造例程的流程图和相关的图示。

详细描述

数据使用的增加已唤起对数据存储装置（尤其是具有更快的数据存取时间和增加的数据存取可靠性的装置）的形状因数和数据容量的注意。与快速数据存储时间结合的增加的数据存储能力可对应于更小的数据存取部件（例如，数据读取器叠层和数据写极）和日益稳固的磁屏蔽。然而，经镀敷的部件的屏蔽可造成工艺和设计复杂度，该工艺和设计复杂度可能不利地影响磁性能（例如，磁场梯度、磁矩和磁性性质灵活性）。相反地，使用经研磨的数据存取部件可保持磁性能，但会造成成形部件（如梯形写极）构造困难。因此，存在对能够在不降低磁场和梯度的情况下通过在减小形状因数的数据存储装置中的研磨部件实现的磁屏蔽配置的持续行业需求。

因此，磁性元件可根据各个实施例配置成至少具有在由第一和第二侧屏蔽结构和第一和第二垂直屏蔽结构组成的箱屏蔽结构内的写极，其中写极可通过由不同材料的至少两个间隙层组成的多层间隙结构与箱屏蔽结构隔开。不同的间隙层的使用允许写极与屏蔽结构的磁和物理隔离，同时提供有助于在不需要镀敷工艺的情况下成形写极的研磨停止层。这种经成形和研磨的写极可提供高写磁场梯度和具有稳固的磁屏蔽的降低的相邻磁道干扰。

关于写极的多层箱屏蔽结构的使用不限于特定的环境，但图1一般示出可利用根据各个实施例的经调谐的磁性元件的示例数据存储装置100的框图表示。以非限制性配置示出数据存储装置100，其中致动组件102能够将换能头104定位在磁存储介质106上的多个位置上，其中所存储的数据位108位于预定数据磁道上。存储介质106可附连至在用于产生空气承载表面（ABS）112期间旋转的一个或多个主轴电机110，致动组件102的滑块部分114在空气承载表面（ABS）112上飞行以将磁头万向架组件116定位在介质106的预定部分之上，磁头万向架组件116包括换能头104。

换能头104可配置有诸如磁写入器、磁响应读取器、以及磁屏蔽结构的一个或多个换能元件，一个或多个换能元件操作以分别编程和读取来自存储介质106的所选择的数据磁道的数据。以这种方式，致动组件102的受控移动对应于换能器与在存储介质表面上限定为写入、读取和重写数据的数据磁道的对准。随着数据位108变得更密集地定位于具有更小径向宽度的数据磁道中，磁头104可无意地从相邻数据磁道上的数据位接收磁通量，这可引发降低数据存储装置100的性能的磁噪声和干扰。

图2显示构造有用于减轻减小形状因数的数据磁道和更密集分组的数据位的影响的磁屏蔽结构的示例磁性元件120的截面框图表示。虽然磁性元件120可具有一个或多个数据存取元件，但示出了磁性元件120的磁数据写入器122部分，磁数据写入器122部分可操作以将数据写入至诸如图1的介质106的相邻的存储介质。磁数据写入器122具有主写极124和至少一个返回极126，至少一个返回极126产生写电路以给予相邻存储介质预定磁取向。在图2所示的数据写入器124的非限制配置中，两个返回极126每个接触地毗邻后屏蔽结构128，后屏蔽结构128防止极124和126中的通量延伸超过写元件124的边界。每个返回极126还接触绝缘材料132，绝缘材料132保持写极124和126的磁隔离。