[发明专利]写极箱屏蔽结构有效
| 申请号: | 201410022347.6 | 申请日: | 2014-01-17 |
| 公开(公告)号: | CN103943115B | 公开(公告)日: | 2017-09-26 |
| 发明(设计)人: | 沈哲;罗勇;W·谈;D·林 | 申请(专利权)人: | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号: | G11B5/11 | 分类号: | G11B5/11 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 何焜 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 写极箱 屏蔽 结构 | ||
1.一种磁性元件装置,包括在箱屏蔽结构之中的写极,所述箱屏蔽结构包括第一和第二侧屏蔽结构和第一和第二垂直屏蔽结构,所述写极通过包括不同材料的至少两个间隙层的多层间隙结构与箱屏蔽结构隔开,
其中,所述至少两个间隙层包括研磨停止层和非磁性层;
其中,所述研磨停止层包括钌;
其中,所述研磨停止层接触所述屏蔽结构和所述非磁性层。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述多层间隙结构使每个屏蔽结构与所述写极物理连接。
3.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述非磁性层为氧化铝。
4.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述多层间隙结构连续地包围所述写极。
5.如权利要求1所述的装置,其特征在于,并非全部间隙层都包围所述写极。
6.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述多层间隙结构定位在空气承载表面(ABS)上。
7.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述间隙层中的每一个具有成角度地朝向的间隙侧壁以匹配极侧壁。
8.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述间隙层中的每一个具有唯一的厚度。
9.一种磁性元件,包括在箱屏蔽结构之中的写极,所述箱屏蔽结构包括第一和第二侧屏蔽结构和第一和第二垂直屏蔽结构,所述写极通过包括第一和第二非磁性间隙层的多层间隙结构与箱屏蔽结构隔开,所述第一和第二非磁性间隙层通过研磨停止层隔开,非磁性间隙层和研磨停止层中的至少两层由不同的材料形成。
10.如权利要求9所述的磁性元件,其特征在于,所述第二非磁性间隙层靠近所述写极的后缘定位并配置成延伸至所述写极的后缘和前缘的中点。
11.如权利要求9所述的磁性元件,其特征在于,所述第二非磁性间隙层具有第一间隙侧壁,所述第一间隙侧壁具有与所述第一非磁性间隙层的第二间隙侧壁不同的角度朝向。
12.如权利要求9所述的磁性元件,其特征在于,所述研磨停止层接触所述侧屏蔽结构和非磁性间隙层。
13.如权利要求9所述的磁性元件,其特征在于,所述第一非磁性间隙层连续地延伸以包围所述写极。
14.如权利要求9所述的磁性元件,其特征在于,所述第一非磁性间隙层延伸超出写间隙区域并延伸到后屏蔽结构和所述侧屏蔽结构之间的信箱区域。
15.如权利要求9所述的磁性元件,其特征在于,所述第一和第二非磁性间隙层为不同材料。
16.一种数据写入器,包括在箱屏蔽结构之中的写极,所述箱屏蔽结构包括第一和第二侧屏蔽结构和第一和第二垂直屏蔽结构,所述写极通过包括不同材料的至少两个间隙层的多层间隙结构与所述箱屏蔽结构隔开,所述多层间隙结构的至少一个第一间隙层延伸至侧屏蔽结构和后屏蔽结构之间的信箱区域。
17.如权利要求16所述的数据写入器,其特征在于,所述信箱具有比侧屏蔽结构之间的间隙宽度大的预定宽度。
18.如权利要求16所述的数据写入器,其特征在于,所述信箱通过结合至少一个侧屏蔽结构和后屏蔽结构形成。
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