[发明专利]一种制作半导体器件的方法

摘要

本发明涉及一种制作半导体器件的方法，根据本发明提出了一种新的后高K/后金属栅极工艺，根据本发明的方法在PMOS和NMOS区域中分别形成界面层以提高器件的性能和NBTI的性能，同时，本发明的制作方法适用于平面场效应晶体管半导体技术和FinFET半导体技术。由于对PMOS区域执行SiGe工艺，PMOS区域比NMOS区域更容易满足工艺要求，在PMOS区域中，采用掺杂有氟的热氧化物层代替化学氧化物层有利于PMOS器件。在NMOS区域中，采用SiON材料代替化学氧化物层作为界面层。

主权项

一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域和第二区域中的所述半导体衬底上形成第一虚拟栅极和第二虚拟栅极，其中所述第一虚拟栅极包括第一虚拟栅极材料层和第一虚拟栅极氧化层，所述第二虚拟栅极包括第二虚拟栅极材料层和第二虚拟栅极氧化层；去除所述第一区域中的第一虚拟栅极材料层和第一虚拟栅极氧化层，以形成第一金属栅极沟槽；在所述第一金属栅极沟槽的底部形成第一界面层；在所述第一金属栅极沟槽中填充牺牲层；去除所述第二区域中的第二虚拟栅极材料层和第二虚拟栅极氧化层以形成第二金属栅极沟槽；在所述第二金属栅极沟槽的底部形成第二界面层；去除所述第一金属栅极沟槽中的所述牺牲层，以露出所述第一金属栅极沟槽，通过在所述第一区域和所述第二区域中分别形成界面层，以提高器件的性能。