[发明专利]一种制作半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制作半导体器件的方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；

在所述第一区域和第二区域中的所述半导体衬底上形成第一虚拟栅极和第二虚拟栅极，

其中所述第一虚拟栅极包括第一虚拟栅极材料层和第一虚拟栅极氧化层，所述第二虚拟栅极包括第二虚拟栅极材料层和第二虚拟栅极氧化层；

去除所述第一区域中的第一虚拟栅极材料层和第一虚拟栅极氧化层，以形成第一金属栅极沟槽；

在所述第一金属栅极沟槽的底部形成第一界面层；

在所述第一金属栅极沟槽中填充牺牲层；

去除所述第二区域中的第二虚拟栅极材料层和第二虚拟栅极氧化层以形成第二金属栅极沟槽；

在所述第二金属栅极沟槽的底部形成第二界面层；

去除所述第一金属栅极沟槽中的所述牺牲层，以露出所述第一金属栅极沟槽，

通过在所述第一区域和所述第二区域中分别形成界面层，以提高器件的性能。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在去除所述牺牲层之后在所述第一金属栅极沟槽和所述第二金属栅极沟槽中填充高K栅极介电层和金属栅极层以形成第一金属栅极和第二金属栅极的步骤。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一区域为PMOS区域，所述第二区域为NMOS区域或所述第一区域为NMOS区域，所述第二区域为PMOS区域。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用湿法刻蚀或者干法刻蚀或者干-湿混合刻蚀去除所述第一虚拟栅极氧化层和所述第二虚拟栅极氧化层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述干法刻蚀包括在离子气体进入反应腔室内之前采用远程等离子体工艺或者微波工艺形成所述离子气体。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为DUO或者非晶碳，采用干法刻蚀或者湿法刻蚀去除所述牺牲层，在反应腔室内没有等离子体的条件下执行所述干法刻蚀。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一界面层的材料为热氧化物，采用RTO或者ISSG工艺形成所述热氧化物，形成所述热氧化物的反应温度为600℃至1000℃，所述第一界面层的厚度为3埃至8埃。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，对所述第一界面层执行氟离子掺杂工艺，采用离子注入或者等离子体掺杂执行所述氟离子掺杂工艺。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二界面层的材料为SiON，采用RTN工艺形成所述SiON，形成所述SiON的反应温度为600℃至1000℃，所述第二界面层的厚度为3埃至8埃。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一界面层的材料为SiON，采用RTN工艺形成所述SiON，形成所述SiON的反应温度为600℃至1000℃，所述第一界面层的厚度为3埃至8埃。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第二界面层的材料为热氧化物，采用RTO或者ISSG工艺形成所述热氧化物，形成所述热氧化物的反应温度为600℃至1000℃，所述第二界面层的厚度为3埃至8埃。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，对所述第二界面层执行氟离子掺杂工艺，采用离子注入或者等离子体掺杂执行所述氟离子掺杂工艺。