[发明专利]芯片装置及其制造方法、集成电路及其制造方法有效
| 申请号： | 201410019259.0 | 申请日： | 2014-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN103928411B | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | W.哈布勒;J.赫格劳尔;K.侯赛尼;J.马勒;M.门格尔;R.奥特伦巴;X.施勒格尔;J.施雷德尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/50;H01L25/00;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 刘金凤,胡莉莉 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及芯片装置及其制造方法、集成电路及其制造方法。提供了一种芯片装置，该芯片装置包括载体；至少一个芯片，其电连接到载体顶侧；密封材料，其至少部分地围绕所述至少一个芯片和所述载体顶侧，其中，所述密封材料形成于所述载体的一个或多个横向侧面上；以及陶瓷材料，其设置在载体底侧上以及密封材料的至少一侧上。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 装置 及其 制造 方法 集成电路 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：导电载体；芯片，安装在所述载体的顶侧上并电连接到所述载体；密封材料，其至少部分地覆盖所述芯片和所述载体；层堆叠，其被设置在所述载体上在所述载体的与所述载体的所述顶侧相对的底侧上并至少部分地设置在所述密封材料上，该层堆叠包括：聚合物层，其设置在所述密封材料上；以及金属层或陶瓷层，其设置在所述聚合物层上，其中所述层堆叠的第一层和最后一层的每一层是所述聚合物层，并且所述第一层连接到所述最后一层，从而使得所述第一层和所述最后一层环绕所述金属层或所述陶瓷层。
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