[发明专利]芯片装置及其制造方法、集成电路及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

导电载体；

芯片，安装在所述载体的顶侧上并电连接到所述载体；

密封材料，其至少部分地覆盖所述芯片和所述载体；

层堆叠，其被设置在所述载体上在所述载体的与所述载体的所述顶侧相对的底侧上并至少部分地设置在所述密封材料上，该层堆叠包括：

聚合物层，其设置在所述密封材料上；以及

金属层或陶瓷层，其设置在所述聚合物层上，

其中所述层堆叠的第一层和最后一层的每一层是所述聚合物层，并且所述第一层连接到所述最后一层，从而使得所述第一层和所述最后一层环绕所述金属层或所述陶瓷层。

2.根据权利要求1所述的集成电路，

其中，所述聚合物层具有范围从200μm至500μm的厚度。

3.根据权利要求1所述的集成电路，

其中，所述聚合物层包括来自以下材料组的至少一种材料，该材料组包括：聚酰亚胺、环氧树脂、丙烯酸盐、硅树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚醚酰亚胺、聚砜、液晶聚合物、聚酰胺亚胺和聚苯氧化物。

4.根据权利要求1所述的集成电路，

其中，所述聚合物层不同于所述密封材料。

5.根据权利要求1所述的集成电路，

其中，所述聚合物层具有不同于所述密封材料的热膨胀系数。

6.根据权利要求1所述的集成电路，

其中，所述陶器层包括低温共烧陶瓷。

7.根据权利要求1所述的集成电路，

其中，所述陶瓷层包括来自以下材料组的至少一种，该材料组包括：硅氧化物、硼氮化物、金属氧化物、金属氮化物和金属碳化物。

8.根据权利要求7所述的集成电路，

其中所述金属氧化物包括钙氧化物、铝氧化物和锆氧化物，并且所述金属氮化物包括铝氮化物。

9.根据权利要求1所述的集成电路，

其中，所述陶瓷材料包括嵌入聚合物材料中的陶瓷颗粒。

10.一种集成电路，包括：

导电载体；

芯片，其安装在所述载体的顶侧上；

密封材料，其至少部分地覆盖所述芯片和所述载体；

层堆叠，其被设置在所述载体上在所述载体的与所述载体的所述顶侧相对的底侧上，该层堆叠包括：

聚合物层，其设置在所述载体上；以及

金属层或陶瓷层，其设置在所述聚合物层上，

其中所述层堆叠的第一层和最后一层的每一层是所述聚合物层，并且所述第一层连接到所述最后一层，从而使得所述第一层和所述最后一层环绕所述金属层或所述陶瓷层。

11.根据权利要求10所述的集成电路，

其中，所述聚合物层不同于所述密封材料。

12.根据权利要求10所述的集成电路，

其中，所述聚合物层具有不同于所述密封材料的热膨胀系数。

13.根据权利要求10所述的集成电路，

其中，所述陶器层包括低温共烧陶瓷。

14.根据权利要求10所述的集成电路，

其中，所述陶瓷材料包括嵌入聚合物材料中的陶瓷颗粒。

15.一种用于制造集成电路的方法，该方法包括：

将芯片安装在导电载体的顶侧上并将所述芯片电连接到所述载体；

用密封材料至少部分地覆盖所述芯片和所述载体；

将层堆叠设置在所述载体上在所述载体的与所述载体的所述顶侧相对的底侧上并至少部分地设置在所述密封材料上，该层堆叠包括：

设置在所述密封材料上的聚合物层；以及

设置在所述聚合物层上的金属层或陶瓷层，

其中所述层堆叠的第一层和最后一层的每一层是所述聚合物层，并且所述第一层连接到所述最后一层，从而使得所述第一层和所述最后一层环绕所述金属层或所述陶瓷层。