[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

本发明提出一种半导体元件及其制造方法，包括衬底、介电层、虚拟焊垫、焊垫、重布线层以及金属内连线。衬底包括非元件区与元件区。介电层位于非元件区与元件区上。虚拟焊垫位于非元件区的介电层上。金属内连线位于非元件区的介电层中，与虚拟焊垫连接。焊垫位于元件区的介电层上。缓冲层位于焊垫与介电层之间。缓冲层包括金属、金属氮化物或其组合。重布线层位于介电层上，连接虚拟焊垫与焊垫。

主权项

一种半导体元件，其特征在于，包括：衬底，包括非元件区与元件区，其中所述非元件区内不会形成半导体电子元件；介电层，位于所述非元件区与所述元件区上；虚拟焊垫，位于所述非元件区的所述介电层上；第一金属内连线，位于所述非元件区的所述介电层中，与所述虚拟焊垫直接连接，所述第一金属内连线包括多数个第一顶金属层；焊垫，位于所述元件区的所述介电层上；第二金属内连线，位于所述元件区的所述焊垫下方的所述介电层中，且所述第二金属内连线未与所述焊垫连接，所述第二金属内连线包括多个第二顶金属层，所述第一顶金属层的之间的多数个间隔之间具有多数个第一空隙，且所述第二顶层金属层之间的多数个间隔之间具有多数个第二空隙，其中在单位面积内所述第二空隙的数目大于所述第一空隙的数目；缓冲层，位于所述焊垫与所述介电层之间，其中所述缓冲层包括金属、金属氮化物或其组合；以及重布线层，位于所述介电层上，连接所述虚拟焊垫与所述焊垫。