[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一衬底、一条状叠层结构以及一伸张性材料条(tensile material strip)。条状叠层结构垂直形成于衬底上，条状叠层结构具有压应力(compressive stress)。条状叠层结构包括多个导电条及多个绝缘条，导电条与绝缘条是交错设置(interlaced)。伸张性材料条形成于条状叠层结构上，伸张性材料条具有拉应力(tensile stress)。

主权项

一种半导体结构，包括：一衬底；一条状叠层结构，垂直形成于该衬底上，该条状叠层结构具有压应力(compressive stress)，该条状叠层结构包括：多个导电条；及多个绝缘条，这些导电条与这些绝缘条是交错设置(interlaced)；以及一伸张性材料条(tensile material strip)，形成于该条状叠层结构上，该伸张性材料条具有拉应力(tensile stress)；其中，该伸张性材料条的长度与该条状叠层结构的长度相同，该伸张性材料条的两侧边与该条状叠层结构的两侧边对齐。