[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一衬底；

一条状叠层结构，垂直形成于该衬底上，该条状叠层结构具有压应力(compressive stress)，该条状叠层结构包括：

多个导电条；及

多个绝缘条，这些导电条与这些绝缘条是交错设置(interlaced)；以及

一伸张性材料条(tensile material strip)，形成于该条状叠层结构上，该伸张性材料条具有拉应力(tensile stress)；

其中，该伸张性材料条的长度与该条状叠层结构的长度相同，该伸张性材料条的两侧边与该条状叠层结构的两侧边对齐。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该条状叠层结构具有一长宽比为5～200。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括：

一介电元件，形成于该条状叠层结构上；以及

一导电线，形成于该介电元件上，该导电线的延伸方向系垂直于该条状叠层结构的延伸方向；

其中该伸张性材料条包括氮化硅层或碳化硅层，该伸张性材料条的厚度相对于该条状叠层结构的厚度的比例为1:5～1:100，该伸张性材料条的厚度为100～1000埃这些导电条包括多晶硅，这些绝缘条包括氧化硅。

4.一种半导体结构的制造方法，包括：

提供一衬底；

垂直形成一条状叠层结构于该衬底上，该条状叠层结构具有压应力，该条状叠层结构包括：

多个导电条；及

多个绝缘条，这些导电条与这些绝缘条是交错设置；以及

形成一伸张性材料条于该条状叠层结构上，该伸张性材料条具有拉应力；

其中，该条状叠层结构及该伸张性材料条是于同一个工艺中形成，该伸张性材料条的长度与该条状叠层结构的长度相同，该伸张性材料条的两侧边与该条状叠层结构的两侧边对齐。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其中形成这些导电条以及形成这些绝缘条的步骤包括：

形成多个导电层及多个绝缘层，这些导电层与这些绝缘层是交错设置；以及

图案化这些导电层及这些绝缘层以形成这些导电条以及这些绝缘条。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制造方法，其中形成该伸张性材料条的步骤包括：

形成一伸张性材料层于这些导电层及这些绝缘层之上；以及

根据这些导电条以及这些绝缘条的一预定图案，图案化该伸张性材料层以形成该伸张性材料条。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，更包括：

形成一介电元件于该条状叠层结构上；以及

形成一导电线于该介电元件上，该导电线的延伸方向系垂直于该条状叠层结构的延伸方向；

其中是以物理气相沉积法形成该伸张性材料条，该伸张性材料条的厚度相对于该条状叠层结构的厚度的比例为1:5～1:100，该伸张性材料条的厚度为100～1000埃图案化该伸张性材料层以及图案化这些导电层及这些绝缘层是同时进行。