[发明专利]半导体组件及电致发光组件及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201410008913.8 申请日: 2011-12-16
公开(公告)号: CN103715271B 公开(公告)日: 2016-11-16
发明(设计)人: 杨朝舜;谢信弘 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L21/77;H01L21/28;H01L27/32
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 郭蔚
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种半导体组件,设置于一基板上。半导体组件包括一第一通道层、一图案化掺杂层、一栅极介电层、一导电栅极、一第二通道层、一第一电极与一第二电极,以及一第三电极与一第四电极。第一通道层位于第一区域的基板上。图案化掺杂层包括一掺杂栅极位于第二区域的基板上,以及两个接触电极分别连接第一通道层的两侧。栅极介电层覆盖第一通道层与图案化掺杂层。导电栅极位于第一区域的栅极介电层上。第二通道层位于第二区域的栅极介电层上。第一电极与第二电极分别与各接触电极电性连接。第三电极与第四电极分别电性连接第二通道层的两侧。
搜索关键词: 半导体 组件 电致发光 及其 制作方法
【主权项】:
一种半导体组件的制作方法,包括:提供一基板,该基板包括一第一区域与一第二区域:于该第一区域的该基板上形成一第一通道层;于该基板上形成一图案化掺杂层,其中该图案化掺杂层包括两个接触电极连接该第一区域内的该第一通道层的两侧,以及一掺杂栅极位于该第二区域的该基板上;于该基板上形成一栅极介电层,覆盖该第一通道层、该两个接触电极与该掺杂栅极;于该第一区域内的该栅极介电层上形成一导电栅极;于该第二区域内的该栅极介电层上形成一第二通道层;于该第一区域内形成一第一电极与一第二电极,分别与各该接触电极电性连接;以及于该第二区域内形成一第三电极与一第四电极,分别电性连接该第二通道层的两侧。
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