[发明专利]非同质半导体衬底上的宽带隙晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201380081129.3 | 申请日： | 2013-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN105745759B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | H·W·田;R·S·周;S·达斯古普塔;M·拉多萨夫列维奇;B·舒-金;S·H·H·宋;S·K·加德纳;R·皮拉里塞 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王英;陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于在半导体衬底上形成GaN晶体管的技术。将绝缘层形成到半导体衬底的顶部上。采用包含III‑V族半导体材料的沟槽材料进行填充的沟槽是穿过绝缘层形成的并且延伸到半导体衬底内。含有缺陷密度低于沟槽材料的缺陷密度的III‑V族材料的沟道结构直接形成于绝缘层的顶部上并且与沟槽相邻。源极和漏极形成于沟道结构的相对两侧，栅极形成于沟道结构上。所述半导体衬底形成了能够在其上既形成GaN晶体管又形成其他晶体管的平面。 | ||
| 搜索关键词： | 同质 半导体 衬底 宽带 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶体管结构，包括：半导体衬底；形成于硅衬底的顶部上的绝缘层；穿过所述绝缘层延伸到所述硅衬底中的沟槽，所述沟槽包含沟槽材料，所述沟槽材料包括第一III‑V族半导体材料；直接形成于所述绝缘层的顶部上并与所述沟槽相邻的沟道结构，所述沟道结构被形成为具有包括第二III‑V族半导体材料的沟道材料，所述第二III‑V族半导体材料的缺陷密度比所述沟槽材料的缺陷密度低；形成于所述沟道结构的相对侧上的源极和漏极，所述源极形成在所述沟槽材料的顶部上；以及形成于所述沟道结构上方的栅极电极。
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