[发明专利]在异质衬底上制造半导体结构的方法

摘要

公开了一种用于在具有多深宽比掩模的异质衬底上形成无缺陷半导体结构的技术。多深宽比掩模包括形成在衬底上的第一层、第二层和第三层。第二层具有比分别在第一层中的第一开口和第三层中的第三开口要宽的第二开口。全部三个开口以公共中心轴为中心。从衬底的顶部表面生长半导体材料，并且横向地生长到第二开口内的第一层的顶部表面上。通过将第三层用作为蚀刻掩模，来蚀刻被布置在第三开口内并且位于第三开口的垂直下方的半导体材料，以使得横向地溢出到第一层的顶部表面上的保留材料形成保留结构。

主权项

1.一种形成半导体结构的方法，包括：在衬底上形成包括第一层、第二层和第三层的掩模；所述第一层具有暴露所述衬底的顶部表面的第一开口，所述第一开口具有第一宽度和第一侧壁；所述第二层具有暴露所述衬底的所述顶部表面以及所述第一层的顶部表面的第二开口，所述第二开口具有第二宽度和第二侧壁，所述第二宽度大于所述第一宽度；并且所述第三层具有暴露所述衬底的所述顶部表面的第三开口，所述第三开口具有第三宽度和第三侧壁，其中，所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口以公共中心轴为中心；从所述衬底的所述顶部表面生长半导体材料，并且横向地生长至所述第一层的所述顶部表面上；以及通过将所述第三层用作为蚀刻掩模，来蚀刻被布置在所述第三开口内并且在所述第三开口的垂直下方的所述半导体材料，以使得横向地溢出至所述第一层的所述顶部表面上的所述半导体材料形成保留结构。