[发明专利]半导体装置

摘要

本发明涉及一种使用了宽带隙半导体的半导体装置，其具有：第1导电型的第1MOS晶体管(SM)，其第1主电极(D)与第1电位连接，第2主电极(S)与第2电位连接；以及第2导电型的第2 MOS晶体管(LM)，其第1主电极(D)与第1 MOS晶体管的控制电极(G)连接，第2主电极(S)与第2电位连接，第1 MOS晶体管的控制电极与第2 MOS晶体管的控制电极(G)被共通地连接，第1以及第2 MOS晶体管形成于共通的宽带隙半导体衬底之上，第1 MOS晶体管构成为，主电流相对于所述宽带隙半导体衬底的主面而在垂直方向上流动，第2 MOS晶体管构成为，主电流相对于宽带隙半导体衬底的主面而在水平方向上流动。

主权项

1.一种半导体装置，其具有：第1导电型的第1MOS晶体管，其第1主电极与第1电位连接，第2主电极与第2电位连接；以及与第1导电型不同的第2导电型的第2MOS晶体管，其第1主电极与所述第1MOS晶体管的控制电极连接，第2主电极与所述第2电位连接，所述第1MOS晶体管的所述控制电极和所述第2MOS晶体管的控制电极被共通地连接，所述第1以及第2MOS晶体管形成于共通的宽带隙半导体衬底之上，所述第1MOS晶体管构成为，主电流相对于所述宽带隙半导体衬底的主面而在垂直方向上流动，所述第2MOS晶体管构成为，主电流相对于所述宽带隙半导体衬底的主面而在水平方向上流动。