[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有：

第1导电型的第1MOS晶体管，其第1主电极与第1电位连接，第2主电极与第2电位连接；以及

与第1导电型不同的第2导电型的第2MOS晶体管，其第1主电极与所述第1MOS晶体管的控制电极连接，第2主电极与所述第2电位连接，

所述第1MOS晶体管的所述控制电极和所述第2MOS晶体管的控制电极被共通地连接，

所述第1以及第2MOS晶体管形成于共通的宽带隙半导体衬底之上，

所述第1MOS晶体管构成为，主电流相对于所述宽带隙半导体衬底的主面而在垂直方向上流动，

所述第2MOS晶体管构成为，主电流相对于所述宽带隙半导体衬底的主面而在水平方向上流动。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第1导电型是n沟道型，

所述第2导电型是p沟道型，

所述第2MOS晶体管的负侧的阈值电压设定得比所述第1MOS晶体管的负侧的阈值电压低。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述宽带隙半导体衬底具有：

在俯视观察时为四边形的单位单元区域，其具有多个所述第1MOS晶体管而分别作为单位单元；以及

终端结区域，其将所述单位单元区域包围，

所述终端结区域包含接地配线，该接地配线在紧靠所述单位单元区域的部位将所述单位单元区域包围，

所述第2MOS晶体管的所述第2主电极与所述接地配线连接。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第2MOS晶体管的所述第2主电极经由所述第1MOS晶体管的所述第2主电极而与所述第2电位连接。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述宽带隙半导体衬底具有：

在俯视观察时为四边形的单位单元区域，其具有多个所述第1MOS晶体管而分别作为单位单元；以及

终端结区域，其将所述单位单元区域包围，

所述单位单元区域的一部分凹入至内侧，所述单位单元区域包含在该凹入部分配置的进行导线键合的焊盘区域，

所述焊盘区域与所述第1MOS晶体管的所述控制电极电连接，

所述第2MOS晶体管形成于所述焊盘区域。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述终端结区域包含接地配线，该接地配线在紧靠所述单位单元区域的部位将所述单位单元区域包围，

所述第2MOS晶体管的所述第2主电极与所述接地配线连接。

7.一种半导体装置，其具有：

第1导电型的第1MOS晶体管，其第1主电极与第1电位连接，第2主电极与第2电位连接；

第1导电型的电流检测MOS晶体管，其第1主电极与所述第1电位连接，第2主电极与所述第2电位连接；以及

与第1导电型不同的第2导电型的第2MOS晶体管，其第1主电极与所述电流检测MOS晶体管的控制电极连接，第2主电极与所述第2电位连接，

所述电流检测MOS晶体管的所述控制电极和所述第2MOS晶体管的控制电极被共通地连接，

所述第1、第2MOS晶体管以及所述电流检测MOS晶体管形成于共通的宽带隙半导体衬底之上，

所述第1MOS晶体管以及所述电流检测MOS晶体管构成为，主电流相对于所述宽带隙半导体衬底的主面而在垂直方向上流动，

所述第2MOS晶体管构成为，主电流相对于所述宽带隙半导体衬底的主面而在水平方向上流动。