[发明专利]半导体存储装置和数据写入方法在审
| 申请号： | 201380079357.7 | 申请日： | 2013-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN105518794A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 白川政信 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/04;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 林娜;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式涉及的半导体存储装置具备多个存储单元、字线、位线以及行解码器。存储单元层叠在半导体基板上。字线与存储单元的栅连接。位线与存储单元的电流路径电连接，并能够传送数据。行解码器向字线施加电压。向存储单元的数据的写入通过反复进行多次包含编程工作和验证工作的编程循环来执行。在一次编程循环中，所述行解码器对选择字线依次施加M次编程电压，接着对所述选择字线依次施加N次验证电压，其中，M为1以上的自然数，N为比M大且3以上的自然数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 数据 写入 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，其特征在于，具备：多个存储单元，其层叠在半导体基板上；字线，其与所述存储单元的栅连接；位线，其与所述存储单元的电流路径电连接，并能够传送数据；以及行解码器，其向所述字线施加电压，向所述存储单元的数据的写入通过反复进行多次包含编程工作和验证工作的编程循环来执行，在一次编程循环中，所述行解码器对选择字线依次施加M次编程电压，接着对所述选择字线依次施加N次验证电压，其中，M为1以上的自然数，N为比M大且2以上的自然数。
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