[发明专利]半导体存储装置和数据写入方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于，具备：

多个存储单元，其层叠在半导体基板上；

字线，其与所述存储单元的栅连接；

位线，其与所述存储单元的电流路径电连接，并能够传送数据；以及

行解码器，其向所述字线施加电压，

向所述存储单元的数据的写入通过反复进行多次包含编程工作和验证 工作的编程循环来执行，

在一次编程循环中，所述行解码器对选择字线依次施加M次编程电 压，接着对所述选择字线依次施加N次验证电压，其中，M为1以上的自 然数，N为比M大且2以上的自然数。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

在一次所述编程循环中，对层叠于半导体基板上的多个存储单元一并 编程所述数据。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，

在将所述M次中的任一个编程电压施加于所述选择字线时，将所述层 叠的多个存储单元中位于最下层的存储单元设为编程对象，将至少位于最 上层的存储单元设为非编程对象。

4.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，

在将所述M次中的任一个编程电压施加于所述选择字线时，将所述层 叠的多个存储单元中位于最上层的存储单元设为编程对象，至少将位于最 下层的存储单元设为非编程对象。

5.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，

在将所述M次中的任一个编程电压施加于所述选择字线时，将第一存 储单元和第二存储单元这两方设为编程对象，

向所述第一存储单元、所述第二存储单元的沟道分别提供彼此不同的 第一电压和第二电压。

6.一种存储系统，其特征在于，具备：

权利要求1所述的半导体存储装置；和

控制所述半导体存储装置的控制器，

所述半导体存储装置具备第一写入模式和第二写入模式，

在所述第一写入模式中，在任一个编程循环中，所述行解码器对选择 字线依次施加M次编程电压，接着对所述选择字线依次施加N次验证电 压，

在所述第二写入模式中，在任一个编程循环中，验证电压的施加次数 都与所述编程电压的施加次数相同或都小于所述编程电压的施加次数。

7.一种数据写入方法，是在半导体基板上层叠了多个存储单元而成的 半导体存储装置的数据写入方法，其特征在于，包括：

向选择字线依次施加M次编程电压，其中，M为1以上的自然数； 和

在施加所述编程电压后，向所述选择字线依次施加N次验证电压，其 中，N为比M大且2以上的自然数。

8.根据权利要求7所述的数据写入方法，其特征在于，

通过施加M次所述编程电压和施加N次所述验证电压，对层叠于半 导体基板上的多个存储单元一并写入数据。

9.根据权利要求8所述的数据写入方法，其特征在于，

在将所述M次中的任一个编程电压施加于所述选择字线时，将所述层 叠的多个存储单元中位于最下层的存储单元设为编程对象，至少将位于最 上层的存储单元设为非编程对象。

10.根据权利要求8所述的数据写入方法，其特征在于，

在将所述M次中的任一个编程电压施加于所述选择字线时，将所述层 叠的多个存储单元中位于最上层的存储单元设为编程对象，至少将位于最 下层的存储单元设为非编程对象。