[发明专利]制造集成结构的方法和形成垂直堆叠存储器单元的方法

摘要

一些实施例包括形成垂直堆叠存储器单元的方法。开口经形成以部分地延伸穿过交替电绝缘层级和导电层级的堆叠。沿所述开口的侧壁形成衬里，且然后蚀刻所述堆叠以使所述开口延伸。所述衬里在所述蚀刻期间至少部分地消耗且形成钝化材料。在所述蚀刻期间出现三个区，其中所述区中的一者是所述开口的经所述衬里保护的上部区，所述区中的另一者是所述开口的经钝化材料保护但未经所述衬里保护的中间区，且所述区中的另一者是所述开口的未经钝化材料或所述衬里保护的下部区。空腔经形成以沿所述开口的侧壁延伸到所述导电层级中。在所述空腔内形成电荷阻挡介电结构和电荷存储结构。

主权项

一种制造集成结构的方法，其包含：形成开口以部分地延伸穿过交替第一层级和第二层级的堆叠；沿所述开口的侧壁形成衬里；和利用穿透所述第一层级和第二层级且去除实质上所有的所述衬里的蚀刻条件使所述开口延伸到所述堆叠中。