[发明专利]制造集成结构的方法和形成垂直堆叠存储器单元的方法

权利要求书

1.一种制造集成结构的方法，其包含：

形成开口以部分地延伸穿过交替第一层级和第二层级的堆叠；

沿所述开口的侧壁形成衬里；和

利用穿透所述第一层级和第二层级且去除实质上所有的所述衬里的蚀刻条件使所述开口延伸到所述堆叠中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述延伸的开口具有大于约30的纵横比。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻条件去除整个所述衬里。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层级和第二层级分别包含二氧化硅和导电掺杂的硅；且其中所述衬里包含硅化钨、氮化钛、氮化硅、碳、多晶型硅和具有高于二氧化硅的介电常数的氧化物中的一或多者。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第二层级包含导电掺杂的多晶硅。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层级和第二层级分别包含二氧化硅和导电掺杂的硅；其中所述衬里包含氮化硅；且其中所述蚀刻条件利用HBr、CH₂F₂、CH₄、C₂H₂、H₂、NF₃、C₄F₈、C₄F₆、O₂、Ar、CHF₃、CH₃F、BCl₃和SF₆中的一或多者。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层级和第二层级分别包含二氧化硅和导电掺杂的硅；其中所述衬里包含氮化硅；且其中所述蚀刻条件利用HBr、CH₂F₂、CH₄、C₂H₂、H₂、NF₃、C₄F₈、C₄F₆、O₂、Ar、CHF₃、CH₃F、BCl₃和SF₆中的一或多者。

8.一种制造集成结构的方法，其包含：

形成开口以部分地延伸穿过交替第一层级和第二层级的堆叠；

沿所述开口的侧壁形成衬里；所述衬里具有在大于0纳米到约20纳米范围内的厚度；和

在所述衬里沿所述侧壁的同时，使所述开口延伸到所述堆叠中。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述开口的所述延伸利用包含卤素和/或碳的蚀刻。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述蚀刻包含HBr、CH₂F₂、CH₄、C₂H₂、H₂、NF₃、C₄F₈、C₄F₆、O₂、Ar、CHF₃、CH₃F、BCl₃和SF₆中的一或多者。

11.根据权利要求8所述的方法，其中在所述蚀刻期间至少部分地消耗衬里。

12.根据权利要求8所述的方法，其中在所述蚀刻期间不消耗衬里。

13.根据权利要求8所述的方法，其中所述衬里具有在约4纳米到约10纳米范围内的厚度。

14.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一层级和第二层级分别是电绝缘层级和导电层级。

15.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一层级和第二层级分别包含二氧化硅和导电掺杂的硅。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述衬里包含导电材料。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述衬里包含硅化钨和氮化钛中的一者或两者。