[发明专利]气体阻隔性膜的卷体和气体阻隔性膜的制造方法有效
| 申请号: | 201380074861.8 | 申请日: | 2013-03-21 |
| 公开(公告)号: | CN105143509B | 公开(公告)日: | 2018-06-01 |
| 发明(设计)人: | 森孝博 | 申请(专利权)人: | 柯尼卡美能达株式会社 |
| 主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C14/02;C23C14/56;C23C16/02;C23C16/50 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 苗堃;赵曦 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明的目的是提供具有高的气体阻隔性、且具有良好的平面性的气体阻隔性膜。本发明是具有基材和气体阻隔性层的气体阻隔性膜的卷体,气体阻隔性层含有硅原子、氧原子和碳原子,将从气体阻隔性层的表面起的距离设为X值,将碳原子的含量相对于硅原子、氧原子和碳原子的合计量的比率设为Y值的碳分布曲线具有极大值和极小值,基材的与配置有气体阻隔性层的一侧为相反侧的面具有500~10000个/mm2的从粗糙中心面起的高度为大于等于10nm且小于100nm的突起A、以及0~500个/mm2的从粗糙中心面起的高度为100nm以上的突起B,并且基材的按照JIS K‑7136测定而得的雾度为1%以下,气体阻隔性膜在特定条件下测定的平面性指标在0~5的范围。 | ||
| 搜索关键词: | 气体阻隔性膜 气体阻隔性层 碳原子 基材 硅原子 平面性 氧原子 中心面 突起 卷体 粗糙 气体阻隔性 碳分布曲线 相反侧 雾度 面具 配置 制造 | ||
【主权项】:
1.一种气体阻隔性膜的卷体,是将具有基材和气体阻隔性层的气体阻隔性膜在相对于膜的宽度方向垂直的方向卷取而得到的气体阻隔性膜的卷体,所述气体阻隔性层含有硅原子、氧原子和碳原子,将从所述气体阻隔性层的表面起的膜厚方向的距离设为X值,将所述碳原子的含量相对于所述硅原子、所述氧原子和所述碳原子的合计量的比率设为Y值的碳分布曲线具有极大值和极小值,所述基材具有树脂膜和涂覆层,所述涂覆层设置于所述树脂膜的与配置有所述气体阻隔性层的一侧为相反侧的面,且所述涂覆层含有固化性树脂的固化物和微粒,所述固化性树脂选自具有交联性基团的有机树脂和具有交联性基团的有机无机复合树脂的一种,所述涂覆层具有500~10000个/mm2 的从粗糙中心面起的高度为大于等于10nm且小于100nm的突起A、以及0~500个/mm2 的从粗糙中心面起的高度为100nm以上的突起B,并且所述基材的按照JIS K-7136测定而得的雾度为1%以下,将包括所述气体阻隔性膜的宽度方向两端部且与所述气体阻隔性膜的宽度方向平行地切下而得到的宽度20mm的长方形片在载物台上在25℃、50%RH下保存10分钟后,在所述长方形片的长度方向计数从所述载物台面浮起1mm以上的地方时,以从所述载物台面浮起1mm以上的地方在所述长方形片的总长度中的数量的形式定义的平面性指标在0~5的范围。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





