[发明专利]气体阻隔性膜的卷体和气体阻隔性膜的制造方法

说明书

本发明的目的是提供具有高的气体阻隔性、且具有良好的平面性的气体阻隔性膜。本发明是具有基材和气体阻隔性层的气体阻隔性膜的卷体，气体阻隔性层含有硅原子、氧原子和碳原子，将从气体阻隔性层的表面起的距离设为X值，将碳原子的含量相对于硅原子、氧原子和碳原子的合计量的比率设为Y值的碳分布曲线具有极大值和极小值，基材的与配置有气体阻隔性层的一侧为相反侧的面具有500～10000个/mm2的从粗糙中心面起的高度为大于等于10nm且小于100nm的突起A、以及0～500个/mm2的从粗糙中心面起的高度为100nm以上的突起B，并且基材的按照JIS K‑7136测定而得的雾度为1％以下，气体阻隔性膜在特定条件下测定的平面性指标在0～5的范围。

技术领域

本发明涉及气体阻隔性膜的卷体和气体阻隔性膜的制造方法。

背景技术

作为柔性有机EL显示器等柔性电子设备的气体阻隔性基板、密封用基板，一直使用气体阻隔性膜。这种气体阻隔性膜即使在弯曲的状态下也要求具有高的气体阻隔性。

作为这种气体阻隔性膜，举出了具有基材层和气体阻隔层的气体阻隔性膜(例如，专利文献1和2)，上述气体阻隔层含有硅原子、氧原子和碳原子，将从表面起的距离设为X值，将碳原子/(硅原子+氧原子+碳原子)的含有比率设为Y值的碳原子分布曲线具有极值。记载了该气体阻隔性膜的气体阻隔层通过例如图3所示的特定的等离子体CVD成膜装置而形成。

图3是表示等离子体CVD成膜装置的基本构成的模式图。如图3所示，成膜装置30具有真空腔室(未图示)、以及配置于其内部且输送长条状的基材的一对成膜辊31和33。然后，与在一对成膜辊31与33之间形成的成膜空间对置的基材上形成气体阻隔性的薄膜。

然而，含有气体阻隔性膜的电子设备中，不仅是高的气体阻隔性，没有皱纹等、具有良好的平面性也是重要的。尤其是大型的电子设备中，若气体阻隔性膜的平面性低，则容易产生电子设备的变形。

此外，作为有机EL显示装置的密封方式之一，有面密封(固体密封)方式。面密封(固体密封)方式中，介由液体粘接剂、片状粘接剂将密封基板贴附于有机EL元件上，密封有机EL元件(例如，参照专利文献3和4)。此时，若作为密封基板的气体阻隔性膜的平面性低，则有时在贴附时产生皱纹等。贴附时的皱纹特别容易在大型的有机EL显示装置中产生。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-97354号公报

专利文献2：日本特开2012-82468号公报

专利文献3：日本特开2002-216950号公报

专利文献4：日本特开2011-031472号公报

发明内容

然而，专利文献1和2所示的气体阻隔性膜存在膜的平面性低的问题。

其原因尚未明确，但推测如下。即，在图3所示的成膜装置30中，成膜辊31与33的抱角(抱き角)大，基材的背面与成膜辊31和33的表面的接触面积变大。因此，基材在成膜辊上难以滑动，对基材施加的张力容易变得不均匀。认为若对基材施加的张力不均匀，则基材不均匀地伸长，或与成膜辊的密合性容易变得不均匀，所得的膜的平面性容易下降。