[发明专利]气体阻隔性膜的卷体和气体阻隔性膜的制造方法

权利要求书

1.一种气体阻隔性膜的卷体，是将具有基材和气体阻隔性层的气体阻隔性膜在相对于膜的宽度方向垂直的方向卷取而得到的气体阻隔性膜的卷体，

所述气体阻隔性层含有硅原子、氧原子和碳原子，

将从所述气体阻隔性层的表面起的膜厚方向的距离设为X值，将所述碳原子的含量相对于所述硅原子、所述氧原子和所述碳原子的合计量的比率设为Y值的碳分布曲线具有极大值和极小值，

所述基材具有树脂膜和涂覆层，所述涂覆层设置于所述树脂膜的与配置有所述气体阻隔性层的一侧为相反侧的面，且所述涂覆层含有固化性树脂的固化物和微粒，所述固化性树脂选自具有交联性基团的有机树脂和具有交联性基团的有机无机复合树脂的一种，

所述涂覆层具有500～10000个/mm2的从粗糙中心面起的高度为大于等于10nm且小于100nm的突起A、以及0～500个/mm2的从粗糙中心面起的高度为100nm以上的突起B，并且

所述基材的按照JIS K-7136测定而得的雾度为1％以下，

将包括所述气体阻隔性膜的宽度方向两端部且与所述气体阻隔性膜的宽度方向平行地切下而得到的宽度20mm的长方形片在载物台上在25℃、50％RH下保存10分钟后，在所述长方形片的长度方向计数从所述载物台面浮起1mm以上的地方时，以从所述载物台面浮起1mm以上的地方在所述长方形片的总长度中的数量的形式定义的平面性指标在0～5的范围。

2.如权利要求1所述的气体阻隔性膜的卷体，其中，所述基材的厚度大于25μm且小于等于200μm。

3.一种气体阻隔性膜的制造方法，是使用等离子体CVD成膜装置制造气体阻隔性膜的方法，该等离子体CVD成膜装置具有：真空腔室、一对成膜辊和电源，所述一对成膜辊配置在所述真空腔室内，并互相以旋转轴大致平行的方式对置而配置，且在内部具有磁场发生构件，所述电源在所述一对成膜辊间设置电位差；所述制造方法包括：

一边将具有树脂膜和涂覆层的长条状的基材以所述涂覆层侧的面与所述一对成膜辊接触的方式卷绕于所述一对成膜辊，一边进行输送，

所述涂覆层设置于所述树脂膜的背面，且所述涂覆层含有固化性树脂的固化物和微粒，所述固化性树脂选自具有交联性基团的有机树脂和具有交联性基团的有机无机复合树脂的一种，

卷绕于一个所述成膜辊的长条状的基材的成膜的面与卷绕于另一个所述成膜辊的所述长条状的基材的成膜的面隔着成膜空间对置，并且

所述卷绕的基材对所述成膜辊的抱角为150度以上，

对所述成膜空间供给含有有机硅化合物气体和氧气的成膜气体，利用所述电源在所述一对成膜辊间设置电位差而使所述成膜空间产生放电等离子体，在所述基材的成膜的面上形成含有硅原子、氧原子和碳原子的薄膜状的气体阻隔性层的工序；

所述基材的按照JIS K-7136测定的雾度为1％以下，并且

所述基材的与所述成膜辊接触的所述涂覆层的表面具有500～1000个/mm2的从粗糙中心面起的高度为大于等于10nm且小于100nm的突起A、以及0～500个/mm2的从粗糙中心面起的高度为100nm以上的突起B。

4.如权利要求3所述的气体阻隔性膜的制造方法，其中，所述基材的厚度大于25μm且小于等于200μm。