[发明专利]用于发光二极管芯片的系统和方法在审
| 申请号： | 201380068597.7 | 申请日： | 2013-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104885224A | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | B.科罗丁 | 申请（专利权）人： | 通用电气照明解决方案有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L31/173 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶晓勇;姜甜 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光二极管(LED)芯片。所述LED芯片包括衬底以及由在所述衬底上生长的异质结构而形成的台面结构。所述台面结构包括LED台面部分和光电二极管(PD)台面部分。沟道将所述LED台面部分与所述PD台面部分分离。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 发光二极管 芯片 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管(LED)芯片，所述LED芯片包括：衬底；以及由在所述衬底上生长的异质结构而形成的台面结构，所述台面结构包括：LED台面部分；以及光电二极管(PD)台面部分，其中沟道将所述LED台面部分与所述PD台面部分分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
