[发明专利]用于发光二极管芯片的系统和方法

权利要求书

1.一种发光二极管(LED)芯片，所述LED芯片包括：

衬底；以及

由在所述衬底上生长的异质结构而形成的台面结构，所述台面结构包括：

LED台面部分；以及

光电二极管(PD)台面部分，其中沟道将所述LED台面部分与所述PD台面部分分离。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其中所述异质结构包括n型层、p型层；以及

在所述n型层的至少部分与所述p型层的至少部分之间的有源层。

3.根据权利要求2所述的LED芯片，其中沟道将所述LED台面部分的所述有源层与所述PD台面部分的所述有源层分离。

4.根据权利要求1所述的LED芯片，所述LED芯片包括位于所述LED台面部分上的第一金属触点以及位于所述PD台面部分上的第二金属触点。

5.根据权利要求4所述的LED芯片，其中所述第二金属触点为不透明金属触点。

6.根据权利要求4所述的LED芯片，所述LED芯片包括位于所述ELD芯片上的第三金属触点。

7.根据权利要求6所述的LED芯片，其中所述第一金属触点与所述第二金属触点为阳极，并且所述第三金属触点为共阴极。

8.根据权利要求6所述的LED芯片，其中所述第一金属触点与所述第二金属触点为阴极，并且所述第三金属触点为共阳极。

9.根据权利要求1所述的LED芯片，其中所述LED台面部分配置用于通过所述沟道将光能发射至所述PD台面部分。

10.根据权利要求9所述的LED芯片，其中所述PD台面部分配置用于吸收来自所述LED台面部分的光能并产生光电流。

11.根据权利要求1所述的LED，其中所述PD台面部分包括金属触点，

其中所述金属触点覆盖所述PD台面部分的顶部和外表面。

12.一种发光二极管(LED)系统，所述LED系统包括：

第一LED器件，所述第一LED器件包括：

LED芯片，所述LED芯片包括：

衬底；以及

由在所述衬底上生长的异质结构而形成的台面结构，所述台面结构包括：

LED台面部分；以及

光电二极管(PD)台面部分，其中沟道将所述LED台面部分与所述PD台面部分分离；以及

控制单元，所述控制单元配置用于(a)提供通过所述LED台面部分的第一电流，以及(b)测量所述PD台面部分产生的光电流。

13.根据权利要求12所述的LED系统，其中所述PD台面部分产生的所述光电流大体上与在第一电流经过所述LED台面部分时由所述第一LED台面部分发射的光能成比例。

14.根据权利要求13所述的LED系统，其中所述控制单元配置用于根据所述PD台面部分产生的所述光电流来确定通过所述LED台面部分的所述第一电流。

15.根据权利要求13所述的LED系统，所述LED系统进一步包括：

至少一个辅助LED器件；

其中所述控制单元配置用于根据所述第一LED器件的所述PD台面部分产生的所述光电流来提供通过所述辅助LED器件的第二电流。

16.一种形成发光二极管(LED)芯片的方法，所述方法包括：

使异质结构在衬底上生长；以及

对所述异质结构施加蚀刻工艺以形成包括LED台面部分和光电二极管(PD)台面部分的台面结构；

其中施加蚀刻工艺包括形成将所述LED台面部分与所述PD台面部分分离的沟道。

17.根据权利要求16所述的方法，所述使异质结构生长包括使n型层、p型层和有源层生长。

18.根据权利要求17所述的方法，其中施加蚀刻工艺包括形成所述沟道，以便将所述LED台面部分的所述有源层与所述PD台面部分的所述有源层分离。

19.根据权利要求18所述的方法，所述方法进一步包括提供位于所述PD台面部分上的金属触点，其中所述金属触点覆盖所述PD台面部分的顶部和外表面。

20.根据权利要求16所述的方法，所述方法进一步包括提供位于所述LED台面部分上的第一金属触点、位于所述PD台面部分上的第二金属触点以及位于所述LED芯片上的第三金属触点。