[发明专利]用于发光二极管芯片的系统和方法在审
申请号: | 201380068597.7 | 申请日: | 2013-11-26 |
公开(公告)号: | CN104885224A | 公开(公告)日: | 2015-09-02 |
发明(设计)人: | B.科罗丁 | 申请(专利权)人: | 通用电气照明解决方案有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L31/173 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 叶晓勇;姜甜 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 发光二极管 芯片 系统 方法 | ||
技术领域
本技术领域大体涉及发光二极管,并且更具体地,涉及具有光电二极管传感器的发光二极管。
背景技术
一些白色发光二极管(LED)使用来自光电二极管(PD)传感器的光能反馈来执行有源颜色控制。例如,有源颜色控制基于红-绿-蓝(RGB)LED或蓝移YAG(BSY)加红LED结构来稳定固态灯的色点。
然而,此类PD传感器经受来自相邻LED的交互作用(cross-talking)。此外,PD传感器的准确性对一些应用而言是不足够的。来自相邻LED的交互作用以及PD传感器的不准确性使得难以确定单个LED所发出的光能。
例如,难以确定何时LED已老化至使得流过LED的电流创造更少光能。在不知道何时LED已老化的情况下,有源颜色控制不知道如何响应来补偿老化。在不了解这个情况的情况下,补偿可能加速一个或多个LED老化。
发明内容
在准确测量主要LED的光能的情况下,有源颜色控制可增加至主要LED或辅助LED的电流以便补偿老化。本发明的各种实施例是配置用于准确监控来自一LED的光能而无来自其他LED的光能的干扰。
根据一个示例性实施例,一种LED芯片包括衬底以及由在所述衬底上生长的异质结构而形成的台面结构。所述台面结构包括LED台面部分和PD台面部分。沟道将所述LED台面部分与所述PD台面部分分离。
根据另一示例性实施例,一种LED系统包括第一LED器件以及控制单元。所述LED器件包括LED芯片。所述LED芯片包括衬底以及由在所述衬底上生长的异质结构而形成的台面结构。所述台面结构包括LED台面部分和PD台面部分。沟道将所述LED台面部分与所述PD台面部分分离。所述控制单元配置用于提供通过所述LED台面部分的第一电流并且测量所述PD台面部分产生的光电流。
根据又一个实施例,一种形成LED芯片的方法包括:使异质结构在衬底上生长;以及对所述异质结构施加蚀刻工艺以形成台面结构。所述台面结构包括LED台面部分和PD台面部分。施加蚀刻工艺包括形成将所述LED台面部分与所述PD台面部分分离的沟道。
上文已广泛地概述各种实施例的方面和特征的一些,应将这些实施例理解为仅仅说明本发明的各种潜在应用。可通过以不同方式应用所公开的信息或组合所公开的实施例的各种方面来获得其他有益结果。因此,除了权利要求书限定的范围之外,通过参考结合附图的示例性实施例的详细描述也可获得其他方面以及更全面的理解。
附图说明
图1为根据示例性实施例的包括主要LED器件、辅助LED器件和控制单元的LED系统的方框图。
图2为根据示例性实施例的在蚀刻工艺前的图1的主要LED器件的LED芯片的横截面图。
图3为在蚀刻工艺后的图2的LED芯片的横截面图。
图4为根据第一替代示例性实施例的LED芯片的横截面图。
图5为根据第二替代示例性实施例的LED芯片的横截面图。
图6为根据本发明的实施例的一种形成LED芯片的示例性方法的流程图。
图7为通过图1的控制单元执行的示例性方法的流程图。
附图仅仅出于说明优选实施例的目的,而不应视为是对本发明的限制。基于以下对附图的描述,本发明的新颖方面应对所属领域中的普通技术人员变得显而易见。这个详细描述使用数字和字母标记来指代附图中的特征。在附图和描述中的相同或类似标识已被用于指代本发明的实施例的相同或类似部分。
具体实施方式
如所要求,本说明书中公开了详细的实施例。必须理解,公开的实施例仅为各种形式和替代形式的示例。如本说明书中使用的词语“示例性的”广泛用来指代用作说明、范本、模型或模式的实施例。附图不一定按比例,并且一些特征可夸大或减至最小以便展示出特定部件的细节。在其他例子中,并不详细描述众所周知的部件、系统、材料或所属领域的普通技术人员已知的方法,以避免模糊本发明。因此,本说明书中公开的具体结构和功能细节不视为限制性的,而仅作为权利要求书的基础以及用于教导所属领域的技术人员的代表基础。
图1为包括主要LED器件10、辅助LED器件90和控制单元80的LED系统1的方框图。辅助LED器件90类似于主要LED器件10。在本说明书中,LED器件10、90一起称为LED阵列。在替代性实施例中,LED阵列包括两个或更多个LED器件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通用电气照明解决方案有限责任公司,未经通用电气照明解决方案有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的