[发明专利]切割片用基材膜及具备该基材膜的切割片有效
| 申请号： | 201380066699.5 | 申请日： | 2013-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN104885202B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 田矢直纪;上田公史;伊藤雅春 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人： | 谢顺星,张晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种切割片用基材膜，可不赋予电子线或γ线等的物理能量，在全切过程中有效地减少被切断物在切割时产生的切割屑，作为在扩展步骤中具有优异伸长性的切割片用基材膜，为具备树脂层(A)的切割片用基材膜(2)，树脂层(A)提供含有聚乙烯和乙烯‑四环十二烯共聚物的基材膜(2)，同时提供具备所述切割用基材膜的切割片。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 基材 具备 | ||
【主权项】：
一种切割片用基材膜，其特征在于，所述基材膜具备树脂层A，该树脂层A含有聚乙烯和乙烯‑四环十二烯共聚物，所述聚乙烯的流化温度为100℃以上180℃以下，所述乙烯‑四环十二烯共聚物的流化温度为100℃以上225℃以下，所述乙烯‑四环十二烯共聚物中，使来自于乙烯的结构单元和来自于四环十二烯的结构单元共计为100摩尔％时，来自于四环十二烯的结构单元为15摩尔％以上45摩尔％以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于琳得科株式会社，未经琳得科株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380066699.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
