[发明专利]切割片用基材膜及具备该基材膜的切割片

说明书

技术领域

本发明涉及一种在将半导体晶圆等的被切断物自元件小片切断分离时，该被切断物所贴附的切割片及该切割片所使用的基材膜。

背景技术

硅、砷化镓等的半导体晶圆及各种封装类(以下有将其统称为“被切断物”的情况)，以大径的状态被制造，这些被切断分离(切割)成元件小片(以下称为“晶片”)。

被交付给该切割步骤的被切断物，以切割步骤及其以后步骤中被切断物及晶片的操作性的实现为目的，具备有基材膜以及设于其上的粘着剂层的切割片，预先贴附于接近切断用的切削工具一侧与相反侧的被切断物表面。此种切割片通常以聚烯烃类膜或聚氯乙烯类膜等作为基材膜而被使用。

作为切割步骤的具体方法，在一般的全切割中，以旋转的圆刀进行被切断物的切割。全切割中，为使贴附切割片的被切断物全面被确实地切断，有超过被切断物将粘着剂层也切断，另外有将基材膜的一部分也切断的情况。

此时，由构成粘着剂层及基材膜的材料所形成的切割屑自切割片产生，而所得到的晶片有因为该切割屑而被污染的情况。此种切割屑的形态之一，有附着在切割线上、或在因切割而分离的晶片断面附近的丝状的切割屑。其问题在于，将被切断物实施分段切割时，会因相异的两种切割刀而显著产生丝状切割屑。

当以所述那样的丝状切割屑大量附着于晶片的状态而进行晶片的密封时，则附着于晶片的丝状切割屑因密封热而分解，此热分解物会破坏封装，成为所得的装置动作不良的原因。因为此丝状切割屑难 以经由清洗而去除，因此丝状切割屑的产生使得切割步骤的产率显著下降。

另外，以固化的树脂密封多个晶片的封装作为被切断物而切割的情况时，相较于切割半导体晶圆的情况，使用刀宽较厚的切割刀，同时切割的切入深度也更深。因此，在切割时被切断除去的基材膜的量较半导体晶圆的情况更为增加，丝状切割屑的产生量也有增加的倾向。因此，使用切割片进行切割时，要求防止丝状切割屑的产生。

切割步骤后所切断的被切断物，其后实施清洗、扩展步骤、拾取步骤的各步骤。因此，对切割片进一步要求在扩展步骤中的扩张性优异。

以抑制此种切割屑产生为目的，专利文献1记述了使用电子线或γ线为1～80MrAd照射的聚烯烃类膜作为切割片的基材膜的发明。该发明认为，通过电子线或γ线照射，构成基材膜的树脂形成交联，从而抑制切割屑的产生。

专利文献1中，作为照射电子线或γ线的聚烯烃类膜，可以列举聚乙烯、聚丙烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-离聚物共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、聚丁烯等树脂。

专利文献2中，记述了一种半导体切割用粘接着带，其特征在于，其为如下所成的树脂组成物层，在基材膜的一侧面涂布粘着剂而成的半导体切割加工用带上，所述基材膜至少由2层构成，与所述基材膜的粘着层粘接的层的树脂融点为130℃～240℃，相对于至少1层粘接于与所述粘着层粘接的层的下面的、聚丙烯系树脂100质量份，苯乙烯-丁二烯共聚物的氢添加物为20质量份～400质量份。

专利文献3中，记述了一种作为赋予扩展步骤中的扩张性的膜，在含有无规丙烯与烯烃类弹性体的基材层上，层叠了粘着剂层的切割膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平5-211234号公报

专利文献2：日本特开2005-174963号公报

专利文献3：日本特开2011-216595号公报

发明内容

本发明要解决的技术问题

然而，专利文献1中所记述的膜是电子线或γ线的照射在如所述树脂一旦成形成膜状后而进行，因此增加一个制造步骤，制造成本较一般基材膜有增加的倾向。专利文献2的基材膜不能充分防止丝状切割屑的产生。专利文献3中所记述的切割膜，在扩展性步骤中虽然伸长性优异，但是不能充分防止丝状切割屑的产生。

本发明为鉴于所述的实际状况所完成的发明，以提供不赋予电子线或γ线等的物理能量，而抑制在全切割中被切断物切割时所产生的切割屑，特别是抑制丝状切割屑的产生，以扩展步骤中具有充分的扩张性(本说明书中也称“扩展性”)的切割片用基材膜及具备所述切割片用基材膜的切割片为目的。

解决技术问题的技术手段

为了达成所述目的，第一，本发明提供一种切割片用基材膜，其为具有树脂层(A)的切割片用基材膜，其特征在于，该树脂层(A)包含聚乙烯与乙烯-四环十二烯共聚物(发明1)。