[发明专利]切割片用基材膜及具备该基材膜的切割片有效
| 申请号： | 201380066699.5 | 申请日： | 2013-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN104885202B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 田矢直纪;上田公史;伊藤雅春 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人： | 谢顺星,张晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 切割 基材 具备 | ||
1.一种切割片用基材膜，其特征在于，所述基材膜具备树脂层A，该树脂层A含有聚乙烯和乙烯-四环十二烯共聚物，
所述聚乙烯的流化温度为100℃以上180℃以下，
所述乙烯-四环十二烯共聚物的流化温度为100℃以上225℃以下，
所述乙烯-四环十二烯共聚物中，使来自于乙烯的结构单元和来自于四环十二烯的结构单元共计为100摩尔％时，来自于四环十二烯的结构单元为15摩尔％以上45摩尔％以下。
2.如权利要求1所述的切割片用基材膜，其中，相对于所述树脂层A所含有的所有树脂成分，所述聚乙烯的含有量为50质量％以上90质量％以下，所述乙烯-四环十二烯共聚物的含有量为10质量％以上50质量％以下。
3.如权利要求1所述的切割片用基材膜，其中，所述乙烯-四环十二烯共聚物在23℃时的拉伸弹性模量超过1.5GPa。
4.如权利要求1所述的切割片用基材膜，其中，所述基材膜具备配置于所述树脂层A的一侧主面、至少由一层所构成的树脂层B。
5.如权利要求4所述的切割片用基材膜，其中，所述树脂层B包含乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物及乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物中的至少一种。
6.一种切割片，其具备权利要求1所述的基材膜、以及配置于该基材膜一侧主面上的粘着剂层。
7.如权利要求6所述的切割片，其中，所述粘着剂层配置于所述基材膜的所述树脂层A上。
8.一种切割片，其为具有权利要求4所述的基材膜、以及配置于该基材膜一侧主面上的粘着剂层的切割片，所述树脂层A配置为比所述树脂层B更接近于所述粘着剂层。
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- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
