[发明专利]电磁波干扰抑制体在审

专利信息
申请号: 201380065519.1 申请日: 2013-12-17
公开(公告)号: CN104854974A 公开(公告)日: 2015-08-19
发明(设计)人: 山本一美 申请(专利权)人: 户田工业株式会社
主分类号: H05K9/00 分类号: H05K9/00;H01F1/00;H01F1/22
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳;邸万杰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及电磁波干扰抑制体,其层叠有:含有金属导电性填料的、表面电阻为100~5000Ω/□的导电层;和磁性层,该磁性层混合磁性材料且100MHz的导磁率实数部μ'为3~45。本发明的电磁波干扰抑制片材适于电子设备的高密度安装,且在从低频至高频的较广的频带中具有附近电磁场的低通滤波特性。
搜索关键词: 电磁波 干扰 抑制
【主权项】:
一种电磁波干扰抑制体,其特征在于:在含有选自金、银、铜、镍的一种以上的金属导电性填料的导电层上,层叠有含有软磁性粉末和树脂的磁性层,所述导电层的表面电阻为100~5000Ω/□。
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