[发明专利]电磁波干扰抑制体在审
| 申请号: | 201380065519.1 | 申请日: | 2013-12-17 |
| 公开(公告)号: | CN104854974A | 公开(公告)日: | 2015-08-19 |
| 发明(设计)人: | 山本一美 | 申请(专利权)人: | 户田工业株式会社 |
| 主分类号: | H05K9/00 | 分类号: | H05K9/00;H01F1/00;H01F1/22 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;邸万杰 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明涉及电磁波干扰抑制体,其层叠有:含有金属导电性填料的、表面电阻为100~5000Ω/□的导电层;和磁性层,该磁性层混合磁性材料且100MHz的导磁率实数部μ'为3~45。本发明的电磁波干扰抑制片材适于电子设备的高密度安装,且在从低频至高频的较广的频带中具有附近电磁场的低通滤波特性。 | ||
| 搜索关键词: | 电磁波 干扰 抑制 | ||
【主权项】:
一种电磁波干扰抑制体,其特征在于:在含有选自金、银、铜、镍的一种以上的金属导电性填料的导电层上,层叠有含有软磁性粉末和树脂的磁性层,所述导电层的表面电阻为100~5000Ω/□。
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