[发明专利]电磁波干扰抑制体在审
| 申请号： | 201380065519.1 | 申请日： | 2013-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN104854974A | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 山本一美 | 申请（专利权）人： | 户田工业株式会社 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00;H01F1/00;H01F1/22 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;邸万杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电磁波 干扰 抑制 | ||
【权利要求书】：
1.一种电磁波干扰抑制体，其特征在于：
在含有选自金、银、铜、镍的一种以上的金属导电性填料的导电层上，层叠有含有软磁性粉末和树脂的磁性层，所述导电层的表面电阻为100～5000Ω/□。
2.根据权利要求1所述的电磁波干扰抑制体，其特征在于：
所述导电层含有选自金、银、铜、镍的一种以上的金属导电性填料和树脂。
3.根据权利要求1所述的电磁波干扰抑制体，其特征在于：
所述磁性层的100MHz的相对复数导磁率的实数部为3～45。
4.根据权利要求1所述的电磁波干扰抑制体，其特征在于：
所述导电性填料的含量为15～40Vol％。
5.根据权利要求1所述的电磁波干扰抑制体，其特征在于：
所述软磁性粉末为选自羰基铁、磁铁矿、尖晶石铁氧体、铝硅铁的一种以上。
6.根据权利要求1所述的电磁波干扰抑制体，其特征在于：
导电层的厚度为10～50μm，磁性层的厚度为50～200μm。
7.根据权利要求1所述的电磁波干扰抑制体，其特征在于：
在厚度为100μm以下的所述电磁波干扰抑制体的微带线中，在500MHz的透过损失为3dB以下，反射系数为-9dB以下，在3GHz的透过系数为10dB以上，反射系数为-9dB以下。
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