[发明专利]与去除半导体装置中寄生传导相关的装置、系统和方法

摘要

本文中揭示半导体装置和用于制造半导体装置的方法。根据特定实施例配置的方法包含由外延衬底形成半导体材料的堆叠，其中半导体材料的所述堆叠界定异质接面，且其中半导体材料的所述堆叠和所述外延衬底进一步界定块体区，所述块体区包含所述半导体堆叠的邻近所述外延衬底的一部分。所述方法进一步包含将半导体材料的所述堆叠附接到载体，其中所述载体经配置以提供到所述异质接面的信号路径。所述方法也包含通过去除所述外延衬底来暴露所述块体区。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法，其包括：在外延衬底上形成第一外延半导体材料以形成第一半导体材料；在所述第一半导体材料上形成第二外延半导体材料以形成第二半导体材料，其中所述第一半导体材料和所述第二半导体材料界定所述第一半导体材料与所述第二半导体材料之间的异质接面区；形成邻近所述接面的导电区以提供到所述异质接面区的导电路径，其中所述导电区包括栅极区、漏极区和源极区；从所述外延衬底去除材料且由此去除导电区之间的寄生传导可于其中发生的材料；将所述第一半导体材料和所述第二半导体材料耦合到与所述外延衬底分离的载体，其中所述载体包括经配置以在结构上支撑所述第一半导体材料和所述第二半导体材料的金属材料；在所述载体与第一和第二半导体材料之间形成介电材料，其中三个或更多个互连件延伸穿过所述介电材料且经配置以提供所述导电区与所述载体之间的电耦合；以及当所述载体耦合至所述第一和第二半导体材料时，移除所述金属材料的部分以界定电触点，其中移除所述金属材料的部分包括在所述金属材料中形成图案，借此所述电触点与所述互连件电耦合。