[发明专利]与去除半导体装置中寄生传导相关的装置、系统和方法

说明书

本文中揭示半导体装置和用于制造半导体装置的方法。根据特定实施例配置的方法包含由外延衬底形成半导体材料的堆叠，其中半导体材料的所述堆叠界定异质接面，且其中半导体材料的所述堆叠和所述外延衬底进一步界定块体区，所述块体区包含所述半导体堆叠的邻近所述外延衬底的一部分。所述方法进一步包含将半导体材料的所述堆叠附接到载体，其中所述载体经配置以提供到所述异质接面的信号路径。所述方法也包含通过去除所述外延衬底来暴露所述块体区。

技术领域

本发明技术涉及在高功率、高电压应用中使用的半导体装置。明确地说，本发明技术的一些实施例涉及使用异质接面的场效晶体管装置，例如，高电子移动性晶体管。

背景技术

高电子移动性晶体管(high electron mobility transistor，HEMT)使用由具有不同频带隙能量电平的半导体材料界定的异质接面。栅极将施加的电场提供到异质接面，此使导电通道形成于HEMT的源极与漏极之间。施加于源极和漏极上的另一电场使电流流经导电通道。当栅极的施加场被去除时，即使当源极与漏极之间的施加场未被去除时，源极与漏极之间的电流也将停止流动。

在施加电压比便携式半导体装置高得多的应用中使用高电压HEMT。这些晶体管被用于多种装置和应用(包含电源供应器、电动车、太阳能电池和大的固态晶体管，仅举几个例子)中。高电压装置的崩溃电压与从流动于源极与漏极之间的电流漏出的寄生电流的量成比例。当施加大于崩溃电压的电压时，寄生电流将流动，而不管是否存在由栅极提供的施加场(即，当装置处于关闭状态中时)。此寄生电流限制包含最大操作电压的装置性能。

附图说明

可参看以下图式较好地理解本发明技术的许多方面。所述图式中的组件未必按比例绘制。实情为，为了清楚地说明本发明技术的原理而进行强调。

图1为说明根据本发明技术的一实施例配置的半导体装置的部分示意截面图。

图2到6为说明根据本发明技术的一实施例的制造方法中的选定步骤处的半导体装置的部分示意截面图。

图7到8为说明根据本发明技术的另一实施例的制造方法中的选定步骤处的半导体装置的部分示意截面图。

图9到11为说明根据本发明技术的又一实施例的制造方法中的选定步骤处的半导体装置的部分示意截面图。

图12为说明并有根据本发明技术的一实施例的半导体装置的系统的框图。

具体实施方式

本文中描述用于制造半导体装置的方法的若干实施例的特定细节以及相关方法、装置和系统。术语“半导体装置”通常指包含半导体材料的固态装置。半导体装置的实例尤其包含逻辑装置、存储器装置和二极管。此外，术语“半导体装置”可指成品装置或变成成品装置之前的各种处理阶段处的组合件或其它结构。视使用术语的上下文而定，术语“衬底”可指晶片级衬底或经单一化的裸片级衬底。所属领域的技术人员将认识到，可在晶片级或在裸片级执行本文中所描述的所述方法的合适步骤。此外，除非上下文指示其它，否则可使用常规半导体制造技术来形成本文中所揭示的结构。可(例如)使用等离子蚀刻、湿式蚀刻、化学机械平坦化或其它合适技术来去除材料。类似地，可(例如)使用化学气相沉积、物理气相沉积、原子材料沉积、旋涂和/或其它合适技术来沉积材料。术语“外延”指涉及结晶半导体材料的沉积技术，所述沉积技术使半导体材料彼此配准。例如，外延半导体材料可生长或以其它方式沉积于不同半导体材料的外延衬底上且展示类似于所述衬底的结晶次序。