[发明专利]与去除半导体装置中寄生传导相关的装置、系统和方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，其包括：

在外延衬底上形成第一外延半导体材料以形成第一半导体材料；

在所述第一半导体材料上形成第二外延半导体材料以形成第二半导体材料，其中所述第一半导体材料和所述第二半导体材料界定所述第一半导体材料与所述第二半导体材料之间的异质接面区；

形成邻近所述接面的导电区以提供到所述异质接面区的导电路径，其中所述导电区包括栅极区、漏极区和源极区；

从所述外延衬底去除材料且由此去除导电区之间的寄生传导可于其中发生的材料；

将所述第一半导体材料和所述第二半导体材料耦合到与所述外延衬底分离的载体，其中所述载体包括经配置以在结构上支撑所述第一半导体材料和所述第二半导体材料的金属材料；

在所述载体与第一和第二半导体材料之间形成介电材料，其中三个或更多个互连件延伸穿过所述介电材料且经配置以提供所述导电区与所述载体之间的电耦合；以及

当所述载体耦合至所述第一和第二半导体材料时，移除所述金属材料的部分以界定电触点，其中移除所述金属材料的部分包括在所述金属材料中形成图案，借此所述电触点与所述互连件电耦合。

2.根据权利要求1所述的方法，其中去除所述材料进一步包括完全去除所述外延衬底。

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在所述第一半导体材料与所述外延衬底之间形成缓冲材料；以及

去除所述缓冲材料的至少一些。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述载体是第二衬底，且包含与所述互连件对准的特征。

5.根据权利要求1所述的方法，其中将所述第一半导体材料和所述第二半导体材料耦合到所述载体进一步包括形成所述金属材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属材料具有100μm或以上的厚度。

7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括形成包括所述第一半导体材料和所述第二半导体材料中的至少一个的至少部分的高电子移动性晶体管HEMT装置。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述异质接面区为氮化镓(GaN)/氮化铝镓(AlGaN)异质接面区。

9.一种由共同衬底形成的半导体装置，其包括：

从所述共同衬底生长的第一外延材料和第二外延材料，其中所述第一外延材料和所述第二外延材料界定所述第一外延材料与所述第二外延材料之间的异质接面区；

邻近所述异质接面区的导电区，所述导电区经配置以提供穿过所述异质接面区的电流，其中所述异质接面区与所述共同衬底的任何寄生传导路径电隔离，且其中所述导电区包括栅极区、漏极区和源极区；

载体，其耦合到所述第一外延材料和所述第二外延材料且经配置以在所述共同衬底被去除时支撑所述第一外延材料和所述第二外延材料，其中所述载体由金属材料形成并界定电触点；以及

在所述载体与第一和第二半导体材料之间的介电材料，其中三个或更多个互连件延伸穿过所述介电材料且经配置以提供所述导电区与所述电触点之间的电耦合。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述金属材料具有100μm或以上的厚度。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述载体包括耦合到所述第一外延材料和所述第二外延材料的另一衬底。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其进一步包括又一衬底或结构，所述又一衬底或结构在所述共同衬底经去除的情况下于所述装置的一侧耦合到第一材料和第二材料。