[发明专利]用于对非易失性存储器进行编程的动态位线偏压

摘要

一种针对非易失性存储元件的集合的编程操作。保持对慢速编程模式中施加至各个存储元件的编程脉冲的数量的计数，并且基于该计数来调节关联的位线电压。可以使用具有公共步长或不同步长的不同位线电压。因此，可以使存储元件的阈值电压在慢速编程模式中针对每个编程脉冲的变化均匀，从而获得提高的编程准确度。当处于慢速编程模式时，锁存器保持对关联的存储元件所经历的编程脉冲的计数。当存储元件的阈值电压低于低验证电平时，存储元件处于快速编程模式，当存储元件的阈值电压处于低验证电平与高验证电平之间时，存储元件处于慢速编程模式。

主权项

一种用于在非易失性存储设备中进行编程的方法，包括：在编程操作中，对一个非易失性存储元件(230，240，250，260，270)施加一个或更多个初始编程脉冲(PPn‑1，PPn)；在所述一个或更多个初始编程脉冲中的每个编程脉冲期间，将与所述一个非易失性存储元件关联的位线(BL0，BL1，BL2，BL3，BL4)的电压(Vbl)设定为初始电平(Vbl_0，0V)，所述初始电平使得能够对所述一个非易失性存储元件进行编程；确定所述一个非易失性存储元件的阈值电压何时超过所述一个非易失性存储元件的目标数据状态(A，B，C)的低验证电平(VvaL，VvbL，VvcL)；以及当所述一个非易失性存储元件的阈值电压超过所述低验证电平时，对所述一个非易失性存储元件施加附加编程脉冲(PPn+1，PPn+2，PPn+3，PPn+4)，保持对施加至所述一个非易失性存储元件的所述附加编程脉冲的数量的计数，并且在所述附加编程脉冲期间，根据所述计数将所述位线的电压设定为一个或更多个阶跃式升高了的电平(Vbl_s2，Vbl_s2，Vbl_s3，Vbl_s3a)，所述一个或更多个阶跃式升高了的电平从所述初始电平阶跃式升高并且使得能够对所述一个非易失性存储元件进行编程。