[发明专利]用于对非易失性存储器进行编程的动态位线偏压

权利要求书

1.一种用于在非易失性存储设备中进行编程的方法，包括：

在编程操作中，对一个非易失性存储元件(230，240，250，260，270)施加一个或更多个初始编程脉冲(PPn-1，PPn)；

在所述一个或更多个初始编程脉冲中的每个编程脉冲期间，将与所述一个非易失性存储元件关联的位线(BL0，BL1，BL2，BL3，BL4)的电压(Vbl)设定为初始电平(Vbl_0，0V)，所述初始电平使得能够对所述一个非易失性存储元件进行编程；

确定所述一个非易失性存储元件的阈值电压何时超过所述一个非易失性存储元件的目标数据状态(A，B，C)的低验证电平(VvaL，VvbL，VvcL)；以及

当所述一个非易失性存储元件的阈值电压超过所述低验证电平时，对所述一个非易失性存储元件施加附加编程脉冲(PPn+1，PPn+2，PPn+3，PPn+4)，保持对施加至所述一个非易失性存储元件的所述附加编程脉冲的数量的计数，并且在所述附加编程脉冲期间，根据所述计数将所述位线的电压设定为一个或更多个阶跃式升高了的电平(Vbl_s2，Vbl_s2，Vbl_s3，Vbl_s3a)，所述一个或更多个阶跃式升高了的电平从所述初始电平阶跃式升高并且使得能够对所述一个非易失性存储元件进行编程。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

在所述附加编程脉冲期间，所述位线的电压以不同步长阶跃式升高。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，

针对所述附加编程脉冲中的一个编程脉冲，所述位线的电压以下述步长阶跃式升高，所述步长是所述一个编程脉冲的步长的函数。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，

所述位线的电压在所述附加编程脉冲中的三个不同编程脉冲期间阶跃式升高。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，

所述位线的电压在所述附加编程脉冲中的非相邻编程脉冲(PPn+1，PPn+3)期间阶跃式升高，而在位于所述非相邻编程脉冲之间的编程脉冲(PPn+2)期间不阶跃式升高。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，

当所述附加编程脉冲中的第一编程脉冲施加至所述一个非易失性存储元件时，将所述位线的电压设定为第一阶跃式升高了的电平(Vbl_sl)；

当所述附加编程脉冲中的第二编程脉冲施加至所述一个非易失性存储元件时，将所述位线的电压设定为高于所述第一阶跃式升高了的电平的第二阶跃式升高了的电平(Vbl_s2)；以及

当所述附加编程脉冲中的第三编程脉冲施加至所述一个非易失性存储元件时，将所述位线的电压设定为高于所述第二阶跃式升高了的电平的第三阶跃式升高了的电平(Vbl_s3，Vbl_s3a)。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，

所述第三阶跃式升高了的电平超过所述第二阶跃式升高了的电平相应的步长；

所述第二阶跃式升高了的电平超过所述第一阶跃式升高了的电平相应的步长；以及

所述第一阶跃式升高了的电平超过所述初始电平下述步长，所述步长大于所述第二阶跃式升高了的电平的所述相应的步长和所述第三阶跃式升高了的电平的所述相应的步长。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，

通过在与所述一个非易失性存储元件关联的锁存器(LP，MP，UP，QPW1，QPW2)的集合(194，195，196，197，300，310，320)中存储数据来保持所述计数；以及

在所述附加编程脉冲中的每个编程脉冲之前读取与所述一个非易失性存储元件关联的所述锁存器的集合来确定所述计数。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，

与所述一个非易失性存储元件关联的所述锁存器(QPW1，QPW2)的集合存储指示所述计数为0、1、2还是3的四个两位组合。