[发明专利]蚀刻液、补给液及铜配线的形成方法有效
申请号: | 201380052965.9 | 申请日: | 2013-07-08 |
公开(公告)号: | CN104769159B | 公开(公告)日: | 2017-09-19 |
发明(设计)人: | 小寺浩史 | 申请(专利权)人: | MEC股份有限公司 |
主分类号: | C23F1/18 | 分类号: | C23F1/18;H05K3/06 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 张福根,冯志云 |
地址: | 日本国兵库*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供可不损及铜配线的直线性且抑制侧蚀的蚀刻液和其补给液、及铜配线的形成方法。本发明的蚀刻液是铜的蚀刻液,所述蚀刻液是包含酸、氧化性金属离子及化合物A的水溶液,所述化合物A在分子内具有选自由巯基、硫醚基及二硫醚基所构成的群组的至少一种含硫官能团、及氨基,所述硫醚基及所述二硫醚基是通过单键将硫原子和与该硫原子连结的异原子连结且不形成π共轭的基团。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 补给 铜配线 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种蚀刻液,其是用以在经设置抗蚀剂的铜表面形成铜配线图案的蚀刻液,其特征在于,所述蚀刻液是包含酸、氧化性金属离子及化合物A的水溶液;所述化合物A在分子内具有选自由巯基、硫醚基及二硫醚基所构成的群组的至少一种含硫官能团、及氨基,所述硫醚基及所述二硫醚基是通过单键将硫原子和与该硫原子连结的异原子连结且不形成π共轭的基团。
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