[发明专利]蚀刻液、补给液及铜配线的形成方法有效
| 申请号: | 201380052965.9 | 申请日: | 2013-07-08 |
| 公开(公告)号: | CN104769159B | 公开(公告)日: | 2017-09-19 |
| 发明(设计)人: | 小寺浩史 | 申请(专利权)人: | MEC股份有限公司 |
| 主分类号: | C23F1/18 | 分类号: | C23F1/18;H05K3/06 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 张福根,冯志云 |
| 地址: | 日本国兵库*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 蚀刻 补给 铜配线 形成 方法 | ||
1.一种蚀刻液,其是用以在经设置抗蚀剂的铜表面形成铜配线图案的蚀刻液,其特征在于,
所述蚀刻液是包含酸、氧化性金属离子及化合物A的水溶液;
所述化合物A在分子内具有选自由巯基、硫醚基及二硫醚基所构成的群组的至少一种含硫官能团、及氨基,所述硫醚基及所述二硫醚基是通过单键将硫原子和与该硫原子连结的异原子连结且不形成π共轭的基团。
2.如权利要求1所述的蚀刻液,其特征在于,所述酸是盐酸。
3.如权利要求1所述的蚀刻液,其特征在于,所述氧化性金属离子是二价铜离子。
4.如权利要求1所述的蚀刻液,其特征在于,所述化合物A是脂肪族化合物。
5.如权利要求1所述的蚀刻液,其特征在于,所述酸的浓度是7~180g/L;
所述氧化性金属离子的浓度是10~250g/L;
所述化合物A的浓度是0.005~10g/L。
6.如权利要求1所述的蚀刻液,其特征在于,更包含脂环式胺化合物。
7.如权利要求6所述的蚀刻液,其特征在于,所述脂环式胺化合物是选自吡咯烷化合物、哌啶化合物及哌嗪化合物的一种以上。
8.如权利要求7所述的蚀刻液,其特征在于,所述哌嗪化合物是下述式(I)所示的化合物:
[化1]
式中,R1及R2分别独立地表示氢或碳数为1~6的烃衍生基团;其中,R1及R2的至少一者表示碳数为1~6的烃衍生基团。
9.如权利要求6至8中任一项所述的蚀刻液,其特征在于,所述脂环式胺化合物的浓度是0.01~10g/L。
10.一种补给液,其是在连续或反复使用如权利要求1至9中任一项所述的蚀刻液时,添加至所述蚀刻液中,其特征在于,
所述补给液是包含酸及化合物A的水溶液;
所述化合物A在分子内具有选自由巯基、硫醚基及二硫醚基所构成的群组的至少一种含硫官能团、及氨基,其中,所述硫醚基及所述二硫醚基是通过单键将硫原子和与该硫原子连结的异原子连结,且并不形成π共轭的基团。
11.一种铜配线的形成方法,其是对铜层的未被蚀刻抗蚀剂包覆的部分进行蚀刻,其特征在于,
使用如权利要求1至9中任一项所述的蚀刻液进行蚀刻。
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