[发明专利]蚀刻液、补给液及铜配线的形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种铜的蚀刻液和其补给液、及铜配线的形成方法。

背景技术

在印刷配线板的制造中，在用光蚀刻法形成铜配线图案的情况下，是使用氯化铁系蚀刻液、氯化铜系蚀刻液、碱性蚀刻液等作为蚀刻液。如果使用这些蚀刻液，则存在蚀刻抗蚀剂下的铜自配线图案的侧面溶解，被称为“侧蚀”的情况。即，产生如下现象：被蚀刻抗蚀剂所覆盖，本来期望不被蚀刻而除去的部分(即，铜配线部分)却被蚀刻液除去，而使该铜配线的宽度从底部往顶部变细。特别是在铜配线图案微细的情况下，必须使此种侧蚀尽可能地变少。为了抑制该侧蚀，而提出了调配有唑化合物的蚀刻液(例如参照下述专利文献1、2)。

[现有技术文献]

[专利文献]

专利文献1：日本特开平6-57453号公报

专利文献2：日本特开2005-330572号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

然而，专利文献1中所记载的蚀刻液的侧蚀抑制效果尚不充分。

而且，如果利用专利文献2中所记载的蚀刻液，则虽然可抑制侧蚀，但如果以通常方法使用专利文献2中所记载的蚀刻液，则存在在铜配线的侧面产生动摇的可能。如果在铜配线的侧面产生动摇，则铜配线的直线性降低，在自印刷配线板的上方以光学检查铜配线宽度时，存在引起误判的可能。而且，如果直线性极端地恶化，则存在印刷配线板的阻抗特性降低的可能。

如上所述，如果是以往的蚀刻液，则难以不损及铜配线的直线性且抑制侧蚀。

本发明是鉴于上述事实而成者，提供可不损及铜配线的直线性且抑制侧蚀的蚀刻液和其补给液、及铜配线的形成方法。

[解决问题的技术手段]

本发明的蚀刻液是铜的蚀刻液，其中，所述蚀刻液是包含酸、氧化性金属离子及化合物A的水溶液，所述化合物A在分子内具有选自由巯基、硫醚基及二硫醚基所构成的群组的至少一种含硫官能团、及氨基，其中，所述硫醚基及所述二硫醚基是通过单键将硫原子和与该硫原子连结的异原子连结，且并不形成π共轭的基团。

本发明的补给液是在连续或反复使用所述本发明的蚀刻液时，添加至所述蚀刻液中，其中，所述补给液是包含酸及化合物A的水溶液，所述化合物A在分子内具有选自由巯基、硫醚基及二硫醚基所构成的群组的至少一种含硫官能团、及氨基，其中，所述硫醚基及所述二硫醚基是通过单键将硫原子和与该硫原子连结的异原子连结，且并不形成π共轭的基团。

本发明的铜配线的形成方法是对铜层的未被蚀刻抗蚀剂包覆的部分进行蚀刻，其中，使用所述本发明的蚀刻液进行蚀刻。

另外，上述本发明中的“铜”可以包含铜，也可以包含铜合金。而且，在本说明书中，“铜”是指铜或铜合金。

[发明的效果]

根据本发明可提供可不损及铜配线的直线性且抑制侧蚀的蚀刻液和其补给液、及铜配线的形成方法。

附图说明

图1是表示利用本发明的蚀刻液进行蚀刻后的铜配线的一例的部分剖面图。

其中，附图标记说明如下：

1：铜配线

2：蚀刻抗蚀剂

3：保护皮膜

具体实施方式

本发明的蚀刻液的特征在于，其是包含酸、氧化性金属离子、化合物A的水溶液，所述化合物A在分子内具有选自由巯基、硫醚基及二硫醚基所构成的群组的至少一种含硫官能团、及氨基，其中，所述硫醚基及所述二硫醚基是通过单键将硫原子和与该硫原子连结的异原子连结，且并不形成π共轭的基团。

图1是表示利用本发明的蚀刻液进行蚀刻后的铜配线的一例的部分剖面图。在铜配线1上形成有蚀刻抗蚀剂2。而且，在蚀刻抗蚀剂2的端部正下方的铜配线1的侧面形成有保护皮膜3。认为该保护皮膜3主要由随着蚀刻进行而在蚀刻液中所生成的亚铜离子及其盐与化合物A而形成。如果利用本发明的蚀刻液，由于其包含上述化合物A，因此形成均一的保护皮膜3。由此而减轻铜配线1的动摇，因此可不损及铜配线1的直线性且抑制侧蚀。因此，如果利用本发明的蚀刻液，则可改善印刷配线板的制造步骤的收率。另外，保护皮膜3可以在蚀刻处理后通过利用除去液的处理而简单地除去。上述除去液优选为过氧化氢与硫酸的混合液、盐酸等酸性液、或二丙二醇单甲醚等有机溶剂等。

另外，推测如果用上述专利文献2的蚀刻液而形成铜配线，则比用本发明的蚀刻液而进行蚀刻时更厚地形成不均一的保护皮膜，因此有损铜配线的直线性。