[发明专利]非易失性半导体存储装置有效
| 申请号： | 201380049900.9 | 申请日： | 2013-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104685572A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 上田孝典;河野和幸;村久木康夫;中山雅义;石飞百合子;高桥桂太 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C11/15 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 齐秀凤 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本申请提供一种非易失性半导体存储装置。存储器阵列(10)具备：由第一单元晶体管和变阻元件的串联连接所构成的变阻型存储器单元阵列(11)、以及由第二单元晶体管和电阻元件的串联连接所构成的参考单元阵列(12)，参考单元阵列(12)的第二单元晶体管被连接至参考源极线(RSL)，电阻元件被连接至参考位线(RBL)，参考位线(RBL)在存储器单元阵列(11)内连接着虚拟存储器单元，虚拟存储器单元的变阻元件的两端被参考位线(RBL)短路。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储装置，具备：字线；第一数据线；第二数据线；多个存储器单元，具有被连接在所述第一数据线与所述第二数据线之间且被串联连接的第一单元晶体管以及第一变阻元件，所述第一单元晶体管的栅极与所述字线连接；参考字线；第一参考数据线；第二参考数据线；参考单元，具有被连接在所述第一参考数据线与所述第二参考数据线之间且被串联连接的第二单元晶体管以及电阻元件，所述第二单元晶体管的栅极与所述参考字线连接；和虚拟存储器单元，具有第三单元晶体管以及第二变阻元件，在所述虚拟存储器单元中，所述第二变阻元件的两端与所述第一参考数据线连接，所述第三单元晶体管的一端与所述第二变阻元件的一端连接。
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