[发明专利]标记形成方法和器件制造方法有效
| 申请号： | 201380046769.0 | 申请日： | 2013-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN104620352B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 藤原朋春 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;B82Y35/00;B82Y40/00;G03F7/20;G03F7/40 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 杨宏军,牛蔚然 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 标记形成方法包含在具有照射区域和划线区域的晶片的器件层上形成可附着包含嵌段共聚物的聚合物层的中性层的步骤；除去在划线区域中形成的中性层的步骤；在划线区域曝光标记像，基于标记像形成包含凹部的标记的步骤；以及在晶片W的器件层上涂布包含嵌段共聚物的聚合物层的步骤。在利用嵌段共聚物的自组装形成电路图案时能够并列地形成标记。 | ||
| 搜索关键词： | 标记 形成 方法 器件 制造 | ||
【主权项】：
一种标记形成方法，其特征在于，包含：在衬底上形成中间层，所述中间层能够附着包含嵌段共聚物的聚合物层；除去所述中间层的一部分；在被除去了所述中间层的区域中形成定位用标记；以及在所述中间层上涂布所述包含嵌段共聚物的聚合物层，形成器件图案，不经由所述中间层而在所述衬底上形成所述定位用标记，经由所述中间层在所述衬底上形成所述聚合物层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社尼康，未经株式会社尼康许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380046769.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
