[发明专利]标记形成方法和器件制造方法有效
| 申请号: | 201380046769.0 | 申请日: | 2013-07-09 |
| 公开(公告)号: | CN104620352B | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
| 发明(设计)人: | 藤原朋春 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
| 主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B82Y35/00;B82Y40/00;G03F7/20;G03F7/40 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 杨宏军,牛蔚然 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 标记 形成 方法 器件 制造 | ||
1.一种标记形成方法,其特征在于,包含:
在衬底上形成中间层,所述中间层能够附着包含嵌段共聚物的聚合物层;
除去所述中间层的一部分;
在被除去了所述中间层的区域中形成定位用标记;以及
在所述中间层上涂布所述包含嵌段共聚物的聚合物层,形成器件图案,
不经由所述中间层而在所述衬底上形成所述定位用标记,经由所述中间层在所述衬底上形成所述聚合物层。
2.根据权利要求1所述的标记形成方法,其特征在于,包含:
使所述聚合物层形成自组装区域;
选择性地除去所述自组装区域的一部分;以及
经由所述自组装区域的被选择性地除去的部分,加工所述衬底的被加工层的器件图案形成区域。
3.根据权利要求1或2所述的标记形成方法,其特征在于,
除去所述中间层中的处于器件图案形成区域的部分的一部分。
4.一种标记形成方法,其特征在于,包含:
在衬底的标记形成层上曝光第一标记像,基于所述第一标记像形成包含凸的线部的第二标记;
在所述衬底的形成了所述第二标记的区域的所述凸的线部以外的部分涂布包含嵌段共聚物的聚合物层;
使所述聚合物层形成自组装区域;
选择性地除去所述自组装区域的一部分;以及
使用所述除去后的所述自组装区域加工所述衬底的所述标记形成层。
5.根据权利要求4所述的标记形成方法,其特征在于,
所述第二标记包含在第一方向上周期性地形成在所述凸的线部以外的部分的凸的线状的多个引导图案,
在涂布所述聚合物层时,在所述多个引导图案之间的多个凹部中涂布所述聚合物层,
在使所述聚合物层形成自组装区域时,在所述多个凹部的所述聚合物层中形成在所述第一方向上具有周期性的自组装区域。
6.根据权利要求5所述的标记形成方法,其特征在于,
所述第二标记包含:在第一方向上周期性地排列的多个凸的第一线部;在与所述第一方向正交的第二方向上周期性地排列的多个凸的第二线部;在所述第一方向上周期性地形成在所述多个凸的第一线部之间的凸的线状的多个第一引导图案;以及在所述第二方向上周期性地形成在所述多个凸的第二线部之间的凸的线状的多个第二引导图案。
7.根据权利要求6所述的标记形成方法,其特征在于,
所述多个第一引导图案的周期与所述多个第二引导图案的周期不同。
8.一种器件制造方法,包含:
使用权利要求1~7中的任一项所述的标记形成方法在衬底上形成层间对位用标记;
使用所述对位用标记进行对位,曝光所述衬底;以及
处理经曝光的所述衬底。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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